<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>

<rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/">

<channel><title>http://electronicnarmafzar.r98.ir/Forum</title>
<link>http://electronicnarmafzar.r98.ir/Forum</link>

<description>rozblog.com</description>

<language>fa</language>

<generator>rozblog.com</generator>

<copyright>rozblog.com</copyright>


<item>

<pubDate>2013-01-21 22:53:39 PM GTM+0430</pubDate>

<title>کار با مولتی متر  </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/32</link>
<description>
<![CDATA[آیا تا کنون به آزمایشگاه برق – الکترونیک وارد شده اید؟ ممکن است که ترس از برق گرفتگی و یا هر حاد ثه ای دیگر سدی برای کنجکاوی شما گردد. اما در واقع چنین نیست . با رعایت کردن کلیه نکات ایمنی بی شک شما نیز می توان از لذت کشفیات جدید و یا حتی شنیدن صدای یک بوق ساده که ساخته دست خود شماست برخوردار گردید.

در این پست قصد داریم شما را با ساده ترین دستگاه اندازگیری در آزمایشگاه برق آشنا کنیم.

مولتی متر:

مولتی متر ها امروزه در انواع مختلف دیجیتالی با قابلیت های متفاوت در بازار یافت می شود. برای شروع بد نیست با ساده ترین آن "مولتی متر selector ی " کار خود را آغاز کنیم.

در شمای کلی این دستگاه یک صفحه مدرج به همراه یک selector مشاهده می کنید. همانطور که از اسم آن مشهود است این دستگاه برای اندازگیری کمیت هایی مانند اختلاف پتانیسل- مقاومت- جریان طراحی گردیده و برای استفاده از selector دستگاه به ترتیب بر روی واژه های volt- ohm – ampere کمک گرفته می شود.
لازم به تذکر است روی دسته سلکتور نشانگری مو جود است که تعیین کننده دامنه کاری در اندازگیری های شما می باشد.
این دستگاه نیز مانند هر سیستم دیگری دارای دو ترمینال آند و کاتد می باشد. برای استفاده صحیح از دستگاه بایستی سیم مشکی را به ترمینال منفی و سیم قرمز را به ترمینال مثبت متصل کنید. حال دکمه power دستگاه را زده و هر نوع اندازگیری را می توانید شروع کنید.

حال فرض می کنیم که مقاوتی را که می خواهیم آزمایش کنیم 100 اهم باشد. با تو جه به اینکه سلکتور روی 1*R ایستاده عقربه عدد 100 را نشان میدهد و چنانچه رنگهای روی مقاومت پاک شده باشند در خواهیم یافت که مقاومت ما 100 اهمی است ولی اگر مقاومت ما از 5 کیلو اهم بیشتر باشد عقربه تقریبا روی علامت بینهایت می ایستد و ما در این مبنا نمی توانیم مقدار مقاومت را بخوانیم . از این رو سلکتور را روی R*10 قرار میدهیم.
R*10 به این معنی است که اگر عقربه هر عددی را نشان دهد آن عدد باید ضربدر 10 شود تا مقدار اصلی مقاوت را بتوانیم بخوانیم.

به عنوان مثال اگر مقاومت ما 10 کیلو اهم باشد عقربه روی یک کیلو اهم می ایستد و اگر یک کیلو را ضربدر 10 کنیم مقدار اصلی مقاومت که همان 10 کیلو اهم است به دست می آید. در این ردیف Range یا مبنا نیز بیشتر از 50 کیلو اهم را نمی توان خواند. پس اگر مقاومت ما از این مقدار بیشتر باشد باید سلکتور را روی R*100 قرار دهیم و همانطور مانند قبل هر چه عقربه نشان داد باید این دفعه ضربدر 100 کنیم.

مطلبی را که باید یاد آور شویم این است که هر وقت ما مبنا و یا رنج را در قسمت آزمایش مقاومتها عوض کنیم باید عقربه را "میزان" یا Adjust کنیم.

طریقه میزان کردن عقربه(calibration):
به این ترتیب است که اگر سلکتور را روی RX قرار دادیم باید دو سیم اهم متر را به هم وصل کنیم. در این صورت عقربه منحرف می شود و باید روی عدد صفر بایستد. چون مقاوتی بین دو سیم اهم متر وجود ندارد. ولی اگر اینطور نشد باید عقربه را با ولومی که سمت راست اهم متر با علامت اهم نشان داده شده میزان کنیم تا روی عدد صفر بی حرکت بماند و بعد مقاومت مورد نظر را آزمایش می کنیم .

حال به قسمت ولتاژها می پردازیم:
ابتدا از ولتاژ مستقیم DC.V شروع می کنیم. همانطور که میبینید این قسمت دارای شش مبنای اندازگیری است که از 0.25 ولت تا 1000 ولت مستقیم را می تواند اندازه بگیرد. طرز کار این قسمت نیز تقریبا مانند اهم است یعنی اگر سلکتور را روی 10 ولت قرار دهیم دستگاه ما حداکثر تا 10 ولت را می تواند نشان دهد.
این طبقه بندی اعداد را روی صفحه قسمتی که سه طبقه عدد قرار دارد می توانید ببینید. سمت چپ مدار نیز با DC.V و میلی آمپر مشخص شده . حال اگر شما خواسته باشید که یک باتری و یا منبع تغذیه جریان مستقیم را آزمایش کنید باید سیم مثبت دستگاه را به مثبت منبع تغذیه و سیم منفی دستگاه را به منفی منبع تغذیه وصل نمایید. اگر چنانچه باتری شما به عنوان مثال شش ولت است باید سلکتور را روی عدد 10 قرار دهید. در این صورت عقربه عدد 6 را نشان می دهد ولی اگر باتری شما از 10 ولت بیشتر و از 50 ولت کمتر بود باید سلکتور را روی عدد 50 قرار داد و چنانچه بیشتر بود روی 1000 ولت.

برای اندازگیری جریان مستقیم نیز مانند ولتاژ عمل میکنیم . یعنی اگر سلکتور را روی عدد 0.5 قرار دهیم دستگاه حداکثر تا 0.5 میلی آمپر میتواند اندازه بگیرد و اگر روی 10 باشد حداکثر 10 میلی آمپر و چنانچه روی 250 باشد تا 250 میلی آمپر.]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/32</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:47:34 PM GTM+0430</pubDate>

<title>آي سي رگولاتور يا تثبيت كننده ولتاژ</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/31</link>
<description>
<![CDATA[به منظور تثبت (ثابت نگه داشتن) ولتاژ مورد نظر در نقاط مختلف مدار از آي سي هاي رگولاتور استفاده مي كنيم.
تثبت به اين منظور انجام مي شود كه ما در مداري نياز به يك لتاژ ثابت، مثلا 5 ولت dc دايم ولي نوساناتي در ولتاژ ورودي به مدار ما وجود دارد كه بر عملكرد مدار تاثير مي گذارد از اين رو از آي سي رگولاتور به منظور تثبيت كننده ولتاژ استفاده مي كنيم.
آي سي هاي رگولاتور دو نوع مثبت و منفي هستند و با پيش شمارهاي 78 براي نوع مثبت و 79 براي نوع منفي شناخته مي شوند دو رقم بعد از اين عدد ها نشان دهنده ولتاژ آي سي مي باشد.
مثلا: 7805 يعني آي سي رگولاتور 5 ولت مثبت
مثلا: 7805 يعني آي سي رگولاتور 5 ولت مثبت و يا: 7905 يعني آي سي رگولاتور 5 ولت منفي
آي سي رگولاتور داراي سه پايه است . پايه وسط آن مشترك است و به زمين مدار يا منفي متصل است . پايه اول ورودي جريان و پايه سوم خروجي تثبيت شده جريان است.
نكته بسيار مهم اين موضوع است كه جريان ورودي به آي سي رگولاتور بايد بين 3 تا 8 ولت بيشتر از جريان تثبت خروجي باشد به عنوان مثال به آي سي 7805 بايد بين 8 تا 13 ولت جريان بدهيم تا 5 ولت تثبت شده در خروجي به ما بدهد. جريان دهي آي سي هاي رگولاتور 1 آمپر است.
برخي از رنج هاي متداول آي سي هاي رگولاتور:
تيپ مثب:7805 – 7806 – 7808 – 7809 – 7810 – 7812 – 7815 – 7818 – 7824 -…
تيپ منفي: 7905 – 7906 – 7908 – 7912 – 7915 – 7924 - …]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/31</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:46:44 PM GTM+0430</pubDate>

<title>ديود زنر: Zener</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/30</link>
<description>
<![CDATA[ديود زنر: Zener
ديود زنر در مدارات الكترونيك در باياس معكوس يا منفي بسته مي شود. ديود زنر تثبت كننده ولتاژ در باياس معكوس است. اين ديودها در مدارات الكترونيك به منظور تثبيت ولتاژ در قسمتهاي مختلف مدار به كار مي رود.
به عنوان مثال اگر در يك مدار الكترونيكي نياز به ولتاژ هاي 6/5 يا 2/8 يا 3/3 ولت داشته باشيم و منبع تغذيه ما 12 ولت باشد مي توانيم از اين نوع ديود استفاده كنيم.
اين نوع ديود ها بر حسب ولتاژ شناخته و تهيه مي شوند. (البته طرز قرار گرفتن آنها در مدارات نياز به آشنايي با طراحي مدارات الكترونيك دارد) برخي از رنج هاي متدال ديودهاي زنر عبارتند از:
2 – 2.2 – 2.7 – 3.3 – 3.9 – 4.7 – 5.1 – 6.8 – 8.2 – 10 – 12 – 14 – 16 – 18 – 24 – 26 – 36 - … - 90 – 110 ولت
برخي از توان هاي ديود زنر:
1.8 – 1.4 – 1.2 – 1 – 2 – 3 – 5 – 10 – 20 - …75 وات ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/30</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:45:54 PM GTM+0430</pubDate>

<title>ترميستور</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/29</link>
<description>
<![CDATA[ترميستور:

یکی از مشخصه های مورد نظر در مورد مقاومتهای معمولی این است که در محدوده وسیعی از تغییرات دمای محیطی ٬ مقاومت آنها تغیر نکند. اما ترمیستورها (یعنی مقاومتهای حرارتی) آگاهانه بصورتی ساخته شده اند که مشخصه هایشان با تغییر دمای محیط تغییر کند.به این ترتیب آنها را میتوان به عنوان سنسور ٬ و یا قطعات جبران کننده تغییرات حرارتی مورد استفاده قرار داد.
دو نوع ترمیستور اصلی وجود دارد : با ضریب حرارتی منفی (N.T.C) و ضریب حرارتی مثبت ( P.T.C) . در دمای 25 درجه سانتیگراد ٬ مقاومت نمونه های معمول N.T.C در حدود چند صد اهم (یا چند کیلو اهم) میباشد که با افزایش دما تا 100 درجه سانتیگراد ٬ مقاوت آن تا حد دهها اهم کاهش می یابد .اما مقاومت P.T.C در محدوده صفر تا 75 درجه سانتیگراد تقریبا ثابت است(معمولا در حدود 100 اهم).در درجه حرارت بالاتر از این حد(معمولا 120 _ 80 درجه سانتیگراد)مقاومت آن به سرعت بالا میرود(حد اکثر تا 10 کیلو اهم).]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/29</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:44:57 PM GTM+0430</pubDate>

<title>تراياك</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/28</link>
<description>
<![CDATA[تراياك:
ترایاک نمونه پیشرفته تر تریستور است ٬ که هدایت دو طرفه ولتاژ از مشخصه های آن به شمار می آید. این قطعه نیز 3 پایه دارد که ترمینال شماره ی یک ولتاژ اصلی یا MT1 و ترمینال شماره دو ولتاژ اصلی یا MT2 و «گیت» نامیده میشوند. ولتاژ اعمال شده به MT2 نسبت به ولتاژ MT1 چه مثبت باشد و چه منفی میتوان پالسهای تحریک مثبت و منفی را به گیت اعمال کرد(نسبت به MT1).بنابر این ترایاک برای کنترل تمام موج سیگنال AC مناسب بوده و آن را مانند تریستور میتوان مورد استفاده قرار داد.
روشن و خاموش شدن تریستور و ترایاک با سرعت بسیار زیادی صورت میپذیرد در نتیجه پالسهای گذرای بسیار کوتاهی ایجاد میشود ٬ که ممکن است مسافت بسیار زیادی را در طول سیم طی کنند.برای جلوگیری از ایجاد چنین نویزهایی ٬ معمولا استفاده از نوعی فیلتر LC ضروری خواهد بود.]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/28</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:43:57 PM GTM+0430</pubDate>

<title>دیاک </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/27</link>
<description>
<![CDATA[دياك: دياك عنصري دوپايه است و مشابه ترانزيستوري است كه بيس ندارد. از هر دو طرف (باياس مستقيم و معكوس ) جریان را عبور مي دهد و روشن شدن آن بستگي به ولتاژ آستانه تعريف شده ( يا شكست ) دارد.
دیاک درتوليد پالس بكار برده مي شود.در واقع دیاک و تریستور و ترایاک هم خانواده اند و همگی در حالت کلی مانند دیود خاصیت هدایت کنندگی دارند اما با این تفاوت که تریستور و ترایاک عناصر سه پایه ای هستند که تکامل یافته اند و علاوه بر اینکه از هر دو طرف جریان را عبور میدهند دارای پایه گیت برای کنترل زمان عبور جریان نیز میباشند. ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/27</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2013-01-21 22:35:27 PM GTM+0430</pubDate>

<title>طریقه ی صحیح نصب و فعال سازی نرم افزار AutoCAD 2011/2012 </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/26</link>
<description>
<![CDATA[
    (اگر ویندوز Se7en دارید) وارد کنترل پنل ویندوز Se7en شده و View by را برابر Large Icon قرار دهید و سپس گزینه ی User Account را انتخاب کنید ؛ در صفحه ای که باز می شود در وسط صفحه بر روی آخرین گزینه یعنی Change User Account Control Setting کلیک نمایید تا صفحه ای باز شود ؛ در این صفحه ،Bar سمت چپ را در پایین ترین نقطه یعنی Never Notify قرار داده و OK کرده و سیستم را Restart کنید.
    حال ارتباط سیستم را با اینترنت قطع کرده و اگر بر روی سیستم آنتی ویروس نصب است آن را Disable کنید.
    سپس CD یا DVD اتو کد را در ROM قرار داده و وارد My Computer شده و بر روی ROM مورد نظر کلیک راست کرده و گزینه ی Open را بزنید تا بدون اینکه Auto run شرکت Sanobar باز شود ، وارد CD یا DVD شوید.
    سپس پوشه ی Auto Cad x64 or x86 را کپی کرده و در یک فضایی از هارددیسک به غیر از درایو C قرار دهید.
    حال از جایی که نرم افزار اتوکد را داخل هارد دیسک کپی کرده اید ، شروع به نصب نرم افزار  کنید.
    در پایان نصب نرم افزار وارد CD یا DVD اتوکد شده و فایل Keygen x64 or x86 را از پوشه ی کرک کپی کرده و در محل نصب برنامه اتوکد قرار دهید .
    حال نرم افزار را اجرا کرده تا صفحه ی Activation باز شود؛ سپس Keygen را اجرا کرده و گزینه ی Patch را کلیک نمایید؛ این پیغام ظاهر می شود :  Successfully Patched
    سپس باید در صفحه ی Activation نرم افزار اتوکد گزینه ی Activate را کلیک نمایید ، تا وارد صفحه ی بعد شوید.
    در این صفحه سریال موجود در قسمت Request Code را باید کپی کرده و در قسمت Request Code برنامه ی Keygen قرار دهید ؛ سپس Generate را کلیک کرده تا سریالی ۱۴رقمی دریافت کنید و آن سریال را در قسمت Activation code برنامه اتوکد کپی کرده و سپس Next کنید.
    نرم افزار Auto Cad فعال سازی شده و هم اکنون می توانید از آن استفاده کنید.

نکته : سریال Activation که از Keygen دریافت می کنید ۱۴ رقمی بوده و نسبت به فیلد موجود در قسمت  Activation نرم افزار اتوکد ۲ رقم کمتر دارد ، که صحیح می باشد.

نکته۲: چنانچه هنگام اکتیوسازی دچار مشکل شد و Error Activation را داد، دوباره به Keygen برگردید و دوباره دکمه memPatch را بزنید و دوباره دکمه generate را بزنید تا کد جدید به شما بدهد، این کد جدید را دوباره وارد نمایید.

حل یک مشکل:

اگر پنجره اکتیوسازی اتوکد به صورت سیاه و سفید و ناقص نمایش داده می شود این راه حل را انجام دهید:

اینترنت اکسپلورر را باز کنید و به منوی Tools و سپس به زبانه Security Tab رفته و دکمه Custom Level را بزنید و تمام گزینه های Disable رو Enable را کنید.

یا اینترنت اکسپلورر ۹ را حذف و اکسپلورر ۸ را نصب نمایید.

یا Command Prompt را اجرا کنید.

در ویندوز ۳۲ بیت این عبارت را تایپ کنید.

cd C:\windows\system32

در ویندوز ۶۴ بیت این عبارت را تایپ کنید.

cd C:\windows\syswow64

سپس عبارت زیر را تایپ کنید. و اینتر را بزنید

regsvr32 jscript.dll

و سپس عبارت زیر را تایپ کنید. و اینتر را بزنید

regsvr32 vbscript.dll

]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/26</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-11-08 10:36:58 AM GTM+0430</pubDate>

<title>سنسور های دما</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/25</link>
<description>
<![CDATA[با سلام خدمت دوستان گرامی خودم 
بعضی از دوستان مطالبی در مورد سنسور های دما خواستار شده بودن اینم یک سری توضیح از سنسور های دما که بطور کاملا حرفه ای توضیح داده شده .
اندازه گیریهای متعددی در ارتباط با انرژی حرارتی سیستم بیولوژیک قابل انجام است.اینها شامل دما،هدایت گرمایی و تشعشع گرمایی هستند.از بین اینها، اندازه گیری دما به طور معمول انجام می شود. دما متغییری فیزیولوژیک است که کیلینیکی اهمیت دارد و یکی از 4 علامت حیاتی اساسی است که در تشخیص کلینیکی بیماران مورد استفاده قرار می گیرد.سنسور، مهم ترین جزء یک سیستم اندازه گیری دما است. در واقع یک ابزار دقیق اندازه گیری دما، دمای سنسور را نشان می دهد از این رو، مشکل موجود در اندازه گیریهای پزشکی دما، نگهداشتن سنسور دما دردمای فیزیولوژیکی مورد اندازه گیری است. آسان ترین راه انجام این کار نگهداشتن سنسور دما در تماس مستقیم با ساختاری است که دمایش اندازه گیری می شود. با این حال، این به تنهایی کافی نیست چرا که سنسور دما ممکن است دمای بافت در تماس با خود را تغییر دهد. مثلاً، چنانچه سنسور در ابتدا دمای کمتری نسبت به بافت اندازه گیری شونده داشته باشد زمانی که در تماس مستقیم با آن بافت قرار می گیرد، گرما از بافت به سنسور دما جریان می یابد. اگر انرژی گرمایی هدایت شده به داخل بافت یا انرژی گرمایی تولید شده به روش های متابولیک در بافت، نتوانند جای آن گرما را بگیرند، قرار دادن سنسور دما در تماس مستقیم با بافت آن را سرد می کند و در نتیجه دما غلط قرائت می شود به این دلیل، جرم مٶثر گرمایی سنسور دما همواره باید بسیار کمتر از جرم مٶثر گرمایی بافت مورد اندازه گیری باشد. از این گذشته، مهم است که مقاومت گرمایی بین سنسور واقعی و بافت مورد اندازه گیری حتی الامکان کم باشد.

سنسورهای معمول دما که در ابزارهای دقیق مهندسی پزشکی مورد استفاده اند عبارتند از:
1- ترمیستور 2- سنسورهای دمای مقاومت سیمی فلزی 3- ترموکوپل 4- نیمه هادی اتصالpn5- مواد حساس به دما مانند کریستال های مایع که خواص فیزیکیشان را دما تغییر می دهد. از بین این موارد، ترمیستور معمول ترین سنسور دما در اندازه گیری مهندسی پزشکی است. این سنسور از اکسیدهای فلزی نیمه هادی تشکیل یافته است که به اندازه ها و اشکال فیزیکی متنوعی درآورده می شوند. این اشکال از ترمیستورهای قیطانی خیلی کوچک که کروی هستند و قطرهایی به کوچکی mm1 دارند، گرفته تا دیسک های مسطح بزرگی که دارای قطر چند سانتی متر است، تنوع دارند.الکترودها و سیم های رابط، تماس الکتریکی با ماده ترمیستور را فراهم می نمایند و مقاومت الکتریکی ترمیستور از طریق این تماس ها اندازه گیری می شود. مقاومت الکتریکی مواد نیمه هادی با افزایش دما کاهش می یابد. مواد ترمیستوری را طوری ساخته اند که تغییر در مقاومت در محدوده دمایی موردنظر به حداکثر برسد و در همان حال حد بالایی از پایداری الکتریکی داشته باشند تا از تغییرات مقاومت در اثر دیگر منابع، یا به طور ساده با کهنه شدن خود ماده، جلوگیری شود. رسیدن به چنین خواصی، ساده نیست و از این رو فرمولاسیون واقعی مواد مختلف ترمیستوری که توسط تولیدکنندگان مختلف مورد استفاده قرار می گیرد و همچنین فرایندی که جهت پایدار نمودن خواص الکتریکی آنها استفاده می شود به دقت سری نگه داشته می شود .دماسنج الکترونیکی کلینیکی مثالی از یک ابزار دقیق اندازه گیری دما مبتنی بر ترمیستور است. سنسور این ابزار دقیق از یک پروب تشکیل شده که یک ترمیستور دارد. طراحی این پروب، عامل مهمی در عملکرد کل ابزار است. جرم پروب و ترمیستور باید کم باشد تا پاسخ زمانی سریعی بدهد، در عین اینکه پروب باید محکم باشد تا قدرت تحمل استفاده مکرر را داشته باشد. بنابراین یک ترکیب مهندسی ضروری است چرا که این دو نیازمندی معمولاً با هم مخالف هستند. از این گذشته، چنانچه ابزار دقیق برای افراد مختلف بکار رود، تمیز کردن و استریلیزه نمودن پروب بعد از هر بار استفاده عملی نیست. پس یک پوشش حفاظتی استریلیزه و یکبار مصرف پروب را می پوشاند که برای استفاده هر بیمار عوض می شود. همچنین این پوشش باید جرم گرمایی کم و

 هدایت گرمایی بالا داشته باشد تا از خراب شدن پاسخ زمانی ابزار جلوگیری نماید. همچنین باید محکم باشد تا گسیختگی که عملکرد آن را از بین می برد روی پروب قرار گیرد.
هدف مدار الکترونیک پردازش سیگنال در این ابزار دقیق تبدیل مقاومت الکتریکی ترمیستور به ولتاژ مرتبط با دمای آن و آماده سازی این ولتاژ برای وسیله قرائت که معمولاً یک صفحه دیجیتالی نمایش دهنده دما است، می باشد. یک مدار پل و تستون نامتعادل که یک ضلع آن را ترمیستور تشکیل می دهد، این هدف را محقق می کند. چنانچه چنانچه پل به طور مناسب طراحی گردد، غیرخطی بودن ولتاژ خروجی پل و تستون به عنوان تابعی از مقاومت می تواند غیرخطی بودن ترمیستور را در یک محدوده دمایی معین(حداکثر تا 40 درجه سانتی گراد) جبران کند، طوری که ولتاژ خروجی پل رابطه خطی با دما داشته باشد. بقیه مدار الکترونیکی باید این سیگنال را طوری مقیاس دهی کند که خروجی دستگاه عدد صحیح را که با دمای مورد اندازه گیری مطابق است نشان دهد .کارایی دیگری که در بعضی دماسنجهای الکترونیکی هست، مداری است که نشان می دهد چه زمان سنسور دما به تعادل رسیده است تا دما خوانده شود. چنین مداری هر ثانیه دما را بررسی می کند و قرائت نهایی را با چند تای قبلی مقایسه می کند. اگر اختلافها کمتر از 1/0 سانتی گراد باشد، دما ثابت درنظر گرفته می شود و به اپراتور گفته می شود که می تواند دما را بخواند، این کار معمولاً با یک بوق کوتاه انجام می شود.دیگر ابزارهای دقیق دما که قبلاً ذکر شد همگی براساس همین نوع ابزار دقیق هستند، چون اندازه گیری رسانایی گرمایی، شار گرمایی و تشعشع شامل انجام اندازه گیری اهی دمایی است. این سیگنال را طوری پردازش می کنند که کمیت موردنظر را براساس طرح سنسور ارائه دهد.اندازه گیریهای متعددی در ارتباط با انرژی حرارتی سیستم بیولوژیک قابل انجام است.اینها شامل دما،هدایت گرمایی و تشعشع گرمایی هستند.از بین اینها، اندازه گیری دما به طور معمول انجام می شود. دما متغییری فیزیولوژیک است که کیلینیکی اهمیت دارد و یکی از 4 علامت حیاتی اساسی است که در تشخیص کلینیکی بیماران مورد استفاده قرار می گیرد .سنسور، مهم ترین جزء یک سیستم اندازه گیری دما است. در واقع یک ابزار دقیق اندازه گیری دما، دمای سنسور را نشان می دهد از این رو، مشکل موجود در اندازه گیریهای پزشکی دما، نگهداشتن سنسور دما دردمای فیزیولوژیکی مورد اندازه گیری است. آسان ترین راه انجام این کار نگهداشتن سنسور دما در تماس مستقیم با ساختاری است که دمایش اندازه گیری می شود. با این حال، این به تنهایی کافی نیست چرا که سنسور دما ممکن است دمای بافت در تماس با خود را تغییر دهد. مثلاً، چنانچه سنسور در ابتدا دمای کمتری نسبت به بافت اندازه گیری شونده داشته باشد زمانی که در تماس مستقیم با آن بافت قرار می گیرد، گرما از بافت به سنسور دما جریان می یابد. اگر انرژی گرمایی هدایت شده به داخل بافت یا انرژی گرمایی تولید شده به روش های متابولیک در بافت، نتوانند جای آن گرما را بگیرند، قرار دادن سنسور دما در تماس مستقیم با بافت آن را سرد می کند و در نتیجه دما غلط قرائت می شود به این دلیل، جرم مٶثر گرمایی سنسور دما همواره باید بسیار کمتر از جرم مٶثر گرمایی بافت مورد اندازه گیری باشد. از این گذشته، مهم است که مقاومت گرمایی بین سنسور واقعی و بافت مورد اندازه گیری حتی الامکان کم باشد.

سنسورهای معمول دما که در ابزارهای دقیق مهندسی پزشکی مورد استفاده اند عبارتند از:
1- ترمیستور 2- سنسورهای دمای مقاومت سیمی فلزی 3- ترموکوپل 4- نیمه هادی اتصالpn5- مواد حساس به دما مانند کریستال های مایع که خواص فیزیکیشان را دما تغییر می دهد. از بین این موارد، ترمیستور معمول ترین سنسور دما در اندازه گیری مهندسی پزشکی است. این سنسور از اکسیدهای فلزی نیمه هادی تشکیل یافته است که به اندازه ها و اشکال فیزیکی متنوعی درآورده می شوند. این اشکال از ترمیستورهای قیطانی خیلی کوچک که کروی هستند و قطرهایی به کوچکی mm1 دارند، گرفته تا دیسک های مسطح بزرگی که دارای قطر چند سانتی متر است، تنوع دارند.الکترودها و سیم های رابط، تماس الکتریکی با ماده ترمیستور را فراهم می نمایند و مقاومت الکتریکی ترمیستور از طریق این تماس ها اندازه گیری می شود. مقاومت الکتریکی مواد نیمه هادی با افزایش دما کاهش می یابد. مواد ترمیستوری را طوری ساخته اند که تغییر در مقاومت در محدوده دمایی موردنظر به حداکثر برسد و در همان حال حد بالایی از پایداری الکتریکی داشته باشند تا از تغییرات مقاومت در اثر دیگر منابع، یا به طور ساده با کهنه شدن خود ماده، جلوگیری شود. رسیدن به چنین خواصی، ساده نیست و از این رو فرمولاسیون واقعی مواد مختلف ترمیستوری که توسط تولیدکنندگان مختلف مورد استفاده قرار می گیرد و همچنین فرایندی که جهت پایدار نمودن خواص الکتریکی آنها استفاده می شود به دقت سرّی نگه داشته می شوند.
دماسنج الکترونیکی کلینیکی مثالی از یک ابزار دقیق اندازه گیری دما مبتنی بر ترمیستور است. سنسور این ابزار دقیق از یک پروب تشکیل شده که یک ترمیستور دارد. طراحی این پروب، عامل مهمی در عملکرد کل ابزار است. جرم پروب و ترمیستور باید کم باشد تا پاسخ زمانی سریعی بدهد، در عین اینکه پروب باید محکم باشد تا قدرت تحمل استفاده مکرر را داشته باشد. بنابراین یک ترکیب مهندسی ضروری است چرا که این دو نیازمندی معمولاً با هم مخالف هستند. از این گذشته، چنانچه ابزار دقیق برای افراد مختلف بکار رود، تمیز کردن و استریلیزه نمودن پروب بعد از هر بار استفاده عملی نیست. پس یک پوشش حفاظتی استریلیزه و یکبار مصرف پروب را می پوشاند که برای استفاده هر بیمار عوض می شود. همچنین این پوشش باید جرم گرمایی کم و هدایت گرمایی بالا داشته باشد تا از خراب شدن پاسخ زمانی ابزار جلوگیری نماید. همچنین باید محکم باشد تا گسیختگی که عملکرد آن را از بین می برد روی پروب قرار گیرد.هدف مدار الکترونیک پردازش سیگنال در این ابزار دقیق تبدیل مقاومت الکتریکی ترمیستور به ولتاژ مرتبط با دمای آن و آماده سازی این ولتاژ برای وسیله قرائت که معمولاً یک صفحه دیجیتالی نمایش دهنده دما است، می باشد. یک مدار پل و تستون نامتعادل که یک ضلع آن را ترمیستور تشکیل می دهد، این هدف را محقق می کند. چنانچه چنانچه پل به طور مناسب طراحی گردد، غیرخطی بودن ولتاژ خروجی پل و تستون به عنوان تابعی از مقاومت می تواند غیرخطی بودن ترمیستور را در یک محدوده دمایی معین(حداکثر تا 40 درجه سانتی گراد) جبران کند، طوری که ولتاژ خروجی پل رابطه خطی با دما داشته باشد. بقیه مدار الکترونیکی باید این سیگنال را طوری مقیاس دهی کند که خروجی دستگاه عدد صحیح را که با دمای مورد اندازه گیری مطابق است نشان دهد.
کارایی دیگری که در بعضی دماسنجهای الکترونیکی هست، مداری است که نشان می دهد چه زمان سنسور دما به تعادل رسیده است تا دما خوانده شود. چنین مداری هر ثانیه دما را بررسی می کند و قرائت نهایی را با چند تای قبلی مقایسه می کند. اگر اختلافها کمتر از 1/0 سانتی گراد باشد، دما ثابت درنظر گرفته می شود و به اپراتور گفته می شود که می تواند دما را بخواند، این کار معمولاً با یک بوق کوتاه انجام می شود.
دیگر ابزارهای دقیق دما که قبلاً ذکر شد همگی براساس همین نوع ابزار دقیق هستند، چون اندازه گیری رسانایی گرمایی، شار گرمایی و تشعشع شامل انجام اندازه گیری اهی دمایی است. این سیگنال را طوری پردازش می کنند که کمیت موردنظر را براساس طرح سنسور ارائه دهد.]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/25</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-08-28 11:35:28 AM GTM+0430</pubDate>

<title>2 تا سوال</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/24</link>
<description>
<![CDATA[سلام خدمت اساتید اگرمیش  جواب این دو سوال بدید ممنون میشم  
1-چرا در ناحیه که هردو دیود در با یاس مستقیم قرار گیرند که vce=./2 میباشد ؟ راهنمای 
ic]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/24</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-08-28 11:34:52 AM GTM+0430</pubDate>

<title>2 تا باکس</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/23</link>
<description>
<![CDATA[سلام خدمت اساتید اگرمیش  جواب این دو سوال بدید ممنون میشم  
1-چرا در ناحیه که هردو دیود در با یاس مستقیم قرار گیرند که vce=./2 میباشد ؟ راهنمای 
ic]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/23</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-06-22 15:15:59 PM GTM+0430</pubDate>

<title>دانلود سوالات کنکور82  تا88 کاردانی پیوسته رشته الکترونیک</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/22</link>
<description>
<![CDATA[	
دانلود سوالات کنکور  82 تا88 


سلام

طبق در خواست بعضی از کاربران سایت نمونه سوالات کنکور 82 تا 88

گذاشتم با لینک مستقیم.

امیدوارم از سوالات راضی باشید

<a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/ae0c41c77c1.zip" rel="nofollow" title="کنکور82  - http://up.behtarin.com/uploads/ae0c41c77c1.zip">کنکور82 </a>- <a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/e79053bfe21.zip" rel="nofollow" title="کنکور83  - http://up.behtarin.com/uploads/e79053bfe21.zip">کنکور83 </a>- <a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/a8ac7cb4b21.zip" rel="nofollow" title="کنکور84 - http://up.behtarin.com/uploads/a8ac7cb4b21.zip">کنکور84</a> -<a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/95086ddcd61.zip" rel="nofollow" title="کنکور85 - http://up.behtarin.com/uploads/95086ddcd61.zip">کنکور85</a> -<a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/12dd060ab81.zip" rel="nofollow" title="کنکور86  - http://up.behtarin.com/uploads/12dd060ab81.zip">کنکور86 </a>- <a target="_blank" href="http://up.behtarin.com/uploads/8a622be0261.zip" rel="nofollow" title="کنکور88 - http://up.behtarin.com/uploads/8a622be0261.zip">کنکور88</a>

پسوررد :electronicnarmafzar.r98.ir
<img src="http://elecdl.com/images/tags.png" alt="" />نوعفایل:zip]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/22</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-06-21 23:33:07 PM GTM+0430</pubDate>

<title>چت روم</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/4/Post/21</link>
<description>
<![CDATA[سلام و خسته نباشید خدمت کاربران گرامی 
امیدوارم لحظات خوبی رو تو این انجمن سپری کنید:8::8::8::9::9::9:
]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/4/Post/21</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 15:08:22 PM GTM+0430</pubDate>

<title> برسي خازن به طور دقيق؟</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/20</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11:
سلام علي جان و ممنون كه به من سر زدي اينم قولي كه بهت داده بودم كه در رابطه با خازن بخونون ولذت ببر بازم بهم سر بزن

:5::5::5::22:
مقدمه 
خازن المان الکتریکی است که می‌تواند انرژی الکتریکی را توسط میدان الکترواستاتیکی (بار الکتریکی) در خود ذخیره کند. انواع خازن در مدارهای الکتریکی بکار می‌روند. خازن را با حرف C که ابتدای کلمه capacitor است نمایش می‌دهند. ساختمان داخلی خازن از دو قسمت اصلی تشکیل می‌شود:


الف – صفحات هادی 
ب – عایق بین هادیها (دی الکتریک) 
ساختمان خازن 
هرگاه دو هادی در مقابل هم قرار گرفته و در بین آنها عایقی قرار داده شود، تشکیل خازن می‌دهند. معمولا صفحات هادی خازن از جنس آلومینیوم ، روی و نقره با سطح نسبتا زیاد بوده و در بین آنها عایقی (دی الکتریک) از جنس هوا ، کاغذ ، میکا ، پلاستیک ، سرامیک ، اکسید آلومینیوم و اکسید تانتالیوم استفاده می‌شود. هر چه ضریب دی الکتریک یک ماده عایق بزرگتر باشد آن دی الکتریک دارای خاصیت عایقی بهتر است. به عنوان مثال ، ضریب دی الکتریک هوا 1 و ضریب دی الکتریک اکسید آلومینیوم 7 می‌باشد. بنابراین خاصیت عایقی اکسید آلومینیوم 7 برابر خاصیت عایقی هوا است. 
انواع خازن 
الف- خازنهای ثابت 
سرامیکی 
خازنهای ورقه‌ای 
خازنهای میکا 
خازنهای الکترولیتی 
آلومینیومی 
تانتالیوم 

ب- خازنهای متغیر 
واریابل 
تریمر 
انواع خازن بر اساس شکل ظاهری آنها 
مسطح 
کروی 
استوانه‌ای 
انواع خازن بر اساس دی الکتریک آنها 
خازن کاغذی 
خازن الکترونیکی 
خازن سرامیکی 
خازن متغییر 


 
خازن کروی



خازن مسطح (خازن تخت) 
دو صفحه فلزی موازی که بین آنها عایقی به نام دی الکتریک قرار دارد، مانند (هوا ، شیشه). با اتصال صفحات خازن به یک مولد می‌توان خازن را باردار کرد. اختلاف پتانسیل بین دو سر صفحات خازن برابر اختلاف پتانسیل دو سر مولد خواهد بود. 
ظرفیت خازن (C) 
نسبت مقدار باری که روی صفحات انباشته می‌شود بر اختلاف پتانسیل دو سر باتری را ظرفیت خازن گویند؛ که مقداری ثابت است.


C = kε0 A/d

C = ظرفیت خازن بر حسب فاراد

Q = بار ذخیره شده برحسب کولن

V = اختلاف پتانسیل دو سر مولد برحسب ولت



ε0 = قابلیت گذر دهی خلا است که برابر است با: 8.85 × 12-10 _ C2/N.m2


k (بدون یکا) = ثابت دی الکتریک است که برای هر ماده‌ای فرق دارد. تقریبا برای هوا و خلأ 1=K است و برای محیطهای دیگر مانند شیشه و روغن 1

A = سطح خازن بر حسب m2


d =فاصله بین دو صفه خازن بر حسب m 


 


چند نکته 
آزمایش نشان می‌دهد که ظرفیت یک خازن به اندازه بار (q) و به اختلاف پتانسیل دو سر خازن (V) بستگی ندارد بلکه به نسبت q/v بستگی دارد.

بار الکتریکی ذخیره شده در خازن با اختلاف پتانسیل دو سر خازن نسبت مستقیم دارد. یعنی: q a v

ظرفیت خازن با فاصله بین دو صفحه نسبت عکس دارد. یعنی: C a 1/d

ظرفیت خازن با مساحت هر یک از صفحات و جنس دی الکتریک (K )نسبت مستقیم دارد. یعنی: C a A و C a K 
شارژ یا پر کردن یک خازن 
وقتی که یک خازن بی بار را به دو سر یک باتری وصل کنیم؛ الکترونها در مدار جاری می‌شوند. بدین ترتیب یکی از صفحات بار (+) و صفحه دیگر بار (-) پیدا می‌کند. آن صفحه‌ای که به قطب مثبت باتری وصل شده ؛ بار مثبت و صفحه دیگر بار منفی پیدا می‌کند. خازن پس از ذخیره کردن مقدار معینی از بار الکتریکی پر می‌شود. یعنی با توجه به اینکه کلید همچنان بسته است؛ ولی جریانی از مدار عبور نمی‌کند و در واقع جریان به صفر می‌رسد. یعنی به محض اینکه یک خازن خالی بدون بار را در یک مدار به مولد متصل کردیم؛ پس از مدتی کوتاه عقربه گالوانومتر دوباره روی صفر بر می‌گردد. یعنی دیگر جریانی از مدار عبور نمی‌کند. در این حالت می‌گوییم خازن پرشده است. 
دشارژ یا تخلیه یک خازن 
ابتدا خازنی را که پر است در نظر می‌گیریم. دو سر خازن را توسط یک سیم به همدیگر وصل می‌کنیم. در این حالت برای مدت کوتاهی جریانی در مدار برقرار می‌شود و این جریان تا زمانی که بار روی صفحات خازن وجود دارد برقرار است. پس از مدت زمانی جریان صفر خواهد شد. یعنی دیگر باری بر روی صفحات خازن وجود ندارد و خازن تخلیه شده است. اگر خازن کاملا پر شود دیگر جریانی برقرار نمی‌شود و اگر خازن کاملا تخلیه شود باز هم جریانی برقرار نمی‌شود. 


 


تأثیر ماده دی‌الکتریک در فضای بین دو صفحه موازی یک خازن 
وقتی که خازنی را به مولدی وصل می‌کنیم؛ یک میدان یکنواخت در داخل خازن بوجود می‌آید. این میدان الکتریکی بر توزیع بارهای الکتریکی اتمی عایقی که در درون صفحات قرار دارد اثر می‌گذارد و باعث می‌شود که دو قطبیهای موجود در عایق طوری شکل گیری کنند؛ که در یک سمت عایق بارهای مثبت و در سمت دیگر آن بارهای منفی تجمّع کنند. توزیع بارهایی که در لبه‌های عایق قرار دارند؛ بر بارهای روی صفحات خازن اثر می‌گذارد. یعنی بارهای منفی روی لبه‌های عایق؛ بارهای مثبت بیشتری را روی صفحات خازن جمع می‌کند؛ و همینطور بارهای مثبت روی لبه‌های عایق بارهای منفی بیشتری را روی صفحات خازن جمع می‌کند. بنابراین با افزایش ثابت دی الکتریک (K) می‌توان بارهای بیشتری را روی خازن جمع کرد و باعث افزایش ظرفیت یک خازن شد. با گذاشتن دی الکتریک در بین صفحات یک خازن ظرفیت آن افزایش می‌یابد. 
میدان الکتریکی درون خازن تخت 
در فضای بین صفحات خازن بار دار میدان الکتریکی یکنواختی برقرار می‌شود که جهت آن همواره از صفحه مثبت خازن به سمت صفحه منفی خازن است. اندازه میدان همواره یک عدد ثابت می‌باشد.


E=V/d



E: میدان الکتریکی

V: اختلاف پتانسیل دو سر خازن

d: فاصله بین دو صفحه خازن



میدان الکتریکی با اختلاف پتانسیل دو سر خازن نسبت مستقیم و با فاصله بین صفحات خازن نسبت عکس دارد. 
به هم بستن خازنها 
خازنها در مدار به دو صورت بسته می‌شوند: 
موازی 
متوالی (سری) 
بستن خازنها به روش موازی 
در بستن به روش موازی بین خازنها دو نقطه اشتراک وجود دارد. در این نوع روش:


اختلاف پتانسیل برای همة خازنها یکی است. 
بار ذخیره شده در کل مدار برابر است با مجموع بارهای ذخیره شده در هریک از خازنها. 
ظرفیت معادل در حالت موازی 
مولد V = V1 = V2 = V3

بار کل Q = Q1 + Q2 + Q3

CV = C1V1 + C2V2 + C3V3

ظرفیت کل : C = C1 + C2 + C3



اندیسها مربوط به خازنهای 1 ؛ 2 و 3 می‌باشد. هرگاه چند خازن باهم موازی باشند، ظرفیت خازن معادل برابر است با مجموع ظرفیت خازنها.




بستن خازنها بصورت متوالی 
در بستن به روش متوالی بین خازنها یک نقطه اشتراک وجود دارد و تنها دو صفحه دو طرف مجموعه به مولد بسته شده ؛ از مولد بار دریافت می‌کند. صفحات مقابل نیز از طریق القاء بار الکتریکی دریافت می‌کنند. بنابراین اندازه بار الکتریکی روی همه خازنها در این حالت باهم برابر است. در بستن خازنها به طریق متوالی:


بارهای روی صفحات هر خازن یکی است. 
اختلاف پتانسیل دو سر مدار برابر است با مجموع اختلاف پتانسیل دو سر هر یک از خازنها. 
ظرفیت معادل در حالت متوالی:


بار کل Q = Q1 + Q2 + Q3

اختلاف پتانسیل کل V = V1 = V2 = V3

q/C = q1/C1 + q2/C2 + q3/C3

C-1 = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3



ظرفیت کل در حالت متوالی ، وارون ظرفیت معادل ، برابر است با مجموع وارون هریک از خازنها.





انرژی ذخیره شده در خازن 
پر شدن یک خازن باعث بوجود آمدن بار ذخیره در روی آن می‌شود و این هم باعث می‌شود که انرژی روی صفحات ذخیره گردد. کل کاری که در فرآیند پر شدن خازن انجام می‌شود از طریق محاسبه بدست می‌آید. 
کاربرد خازن 
با توجه به اینکه بار الکتریکی در خازن ذخیره می‌شود؛ برای ایجاد میدانهای الکتریکی یکنواخت می‌توان از خازن استفاده کرد. خازنها می‌توانند میدانهای الکتریکی را در حجمهای کوچک نگه دارند؛ به علاوه می‌توان از آنها برای ذخیره کردن انرژی استفاده کرد. خازن در اشکال مختلف ساخته می‌شود. 


در صورت هر گونه سوال با koshasadegh@yahoo.com تماس بگيرين
:5::5::5::17:]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/20</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 15:01:29 PM GTM+0430</pubDate>

<title>  سوالات خرداد 91  الكترونيك دبيرستان</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/19</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11::11:

اين تجربه كه از ميان اين سوالات بيش از 90 درصد هر ساله براي خرداد ازش طرح ميشه جاي شكي نيست منم 
لازم دونستم كه ......:8:
نمونه سوالات امتحاني الكترونيك كاربردي 

1-      مقاومت چيست و مشخصات مهم مقاومتهاي اهمي را نام ببريد؟

2-      از تلورانس مقاومتها يكي را توضيح دهيد ؟

3-      مقاومتهاي سيمي به چه نوع مقاومتي گفته مي شود ، عيب اين مقاومتها چيست ، وبراي رفع آن چه مي كنند ؟

4-      بي پلار را توضيح دهيد ؟

5-      مقاومت حفاظتي چيست ؟

6-      NTC و PTC  و LDR و VDR چيستند ؟

7-      مقاومتها از نظر استاندارد به چند دسته تقسيم مي شوند ؟

8-      مقدار مقاومتها و مقدار خازنها به چند روش تشحيص داده مي شوند ؟ 

9-      انواع خازنهاي ثابت را نام ببريد ؟

10-  خازن و سلف را تعريف كرده و قسمتهاي اصلي خازن را نام ببريد ؟

11-  ويژگي خازنهاي سراميكي را نام ببريد؟

12-  انواع خازنهاي الكتروليتي را نام برده و معايب خازنهاي تانتانيومي نصبت به آلمينيومي چيستند ؟

13-  واريابل و تريمر را توضيح دهيد ؟

14-  روش رمزي در تشخيص مقدار ضرفيت خازن را توضيح دهيد ؟

15-  هادي ها ، عايقها  و نيمه هادي ها را توضيح دهيد ؟

16-  كريستال چيست و نحوه تشكيل آنرا بنويسيد ؟

17-   جريان الكترونهاي آزاد را توضيح دهيد ؟

18-   طرز تشكيل نيمه هادي N  و  P  را توضيح دهيد ؟

19-  حاملهاي اقليت و اكثريت در هر دو نيمه هادي كدامها هستند ؟

20-  طرز تشكيل ناحيه سد در ديودها را توضيح دهيد ؟

21-  باياس چيست و چند نوع باياس وجود دارد ، توضيح دهيد ؟

22-  اتصال P  و  N  در ديود را توضيح دهيد ؟

23-  منحني مشخصه ولت آمپر ديود در هر دو باياس را با رسم منحني توضيح دهيد ؟

24-  طريقه تست ديود بوسيله مولتي متر ديجيتالي و اهم متر عقربه اي را توضيح دهيد ؟

25-  نحوه تشخيص آند و كاتد ديود را با استفاده از اهم متر عقربه اي  بگوييد ؟

26-  مفادير حد در ديود را نام ببريد ؟

27-  تفاوت يكسوساز نيم موج با تمام موج در چيست  ؟

28-  علت استفاده از ترانسفورماتور در مدارهاي يكسو كننده چيست ؟

29-  يكسو ساز تمام موج با ترانس سر وسط را با رسم شكل توضيح دهيد ؟ 

30-   مقادير مقاومتها و خازنهاي زير را هر كدارم به روش خواسته شده بنويسيد ؟

<span style="font-size: x-large;"></span>براي اطلاعات بيشتر با koshasadegh@yahoo.com تماس بگيرين:5:]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/19</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 14:55:26 PM GTM+0430</pubDate>

<title>سوالات مهم كتاب رهيافت مدار و الكترونيك براي كنكور كارشناسي ارشد</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/18</link>
<description>
<![CDATA[سلام
چون خیلی از دوستان در مورد رهیافت سوال کرده بودند و اینکه آیا مفید هست یا وقت هست برای خوندنش یا نه و.... تصمیم گرفتم شماره تمرینهای مفید رهیافت رو بنویسم. اینطوری وقتتون روی مسائلی که ارزشی ندارند هدر نمیره
توجه داشته باشید سوالاتی که مینویسم الزاما مشابه تستهای ارشد نیست یا بعضا در اون حد سخت نیست.ولی مطمئن باشید نکته ای داره یا روش حل بهینه ای براش وجود داره که احتمالا خودتون میتونید پیداش کنید و برای افزایش سرعت و مهارت در مدار ضروری هست

بعضی سوالات که نکته خیلی مهم یا زیبایی داره و صددرصد باید بخونید رو جلوشون "ع" مینویسم .یعنی عالی!این جور مسائل رو تا شب کنکور هم میتونید بخونید. هر چقدر هم که وقتتون کم باشه.باید چندین بار حلش کنید تا مطمئن بشید نکته اش رو گرفتید


رهیافت مدار

فصل اول: روشهای ساده تحلیل مدار:
17
19
20
21
22ع
23ع ع
26
28
31
34
35

فصل 2:روشهای تحلیل مدار:این فصل و فصل بعد مهمترین فصل مدار هست و به جرات میتونم بگم اگر همین دو فصل رو خوب خوب خوب بلد باشید 50 درصد از مدار رو دارید.نکته مهم این هست که سوالات این فصلها از روشهای متعددی میتونن حل بشن (گره-مش-ترکیب گره و مش یا به قول جزوه پارسه روش سرخپوستی-تبدیل منابع و تونن و نورتن-روش منظم یا ماتریسی گره و مش...) ولی شما باید بتونید برای هر سوال تشخیص بدید که کدوم روش کوتاهترین هست
7
10ع
11
12ع
14ع
15ع ع
16 ع ع
17ع
18ع
20
28ع
29ع
34ع
35
36
37
38ع
41
43ع
44
46ع
47
50
52
54
57
60
67
فصل 3: قضایای شبکه:
1
3ع
4
9
13
16
24ع
25ع
26
27ع
32
33
34
35ع
36
37ع
40ع
41ع
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53 ع ع
فصل 4 : آپ امپ: این فصل رو کامل حل کنید.اپ امپ چند تا حالت بیشتر نداره که باید تا حد حفظ شدن حل کنید. با الکترونیک مشترک هست و بدرد اون درس هم میخوره
فصل5: خازن و القاگر:
4ع
5ع
6ع
7ع
8
10ع
11
12
13
14
16
17ع
فصل 6:معادلات دیفرانسیل و مقادیر اولیه:بعضی از تستهای این فصل به کمک معادلات حالت راحتتر حل میشن
13
27
28ع
31ع
32ع
33ع
34
35ع
36
39ع
41ع
42
43ع
44
46ع
47ع ع
48ع ع
49ع

فصل 7: مدارهای مرتبه اول:
1
2
3
4
7ع ع
8
9ع ع
11 ع
12 ع ع
13 ع ع
14
15
16ع
17ع ع
18
19
20ع
21ع ع
24
25ع
26ع
27ع ع
28
29
31ع ع
32ع ع
33ع ع
34ع ع
35ع ع
36ع ع
37ع ع ع
39ع ع
40 ع ع
41 ع ع
42ع ع
47ع ع
48ع ع
49ع ع
50ع
51ع
52ع
54ع ع
55ع ع
57ع ع

(برای این چند سوال آخر روشهای بهتری نسبت به روش رهیافت وجود داره.پیداش کنید!)



 تمرینهای مفید از رهیافت مدار
ادامه:
فصل 8: مدارهای مرتبه دوم و بالاتر(این فصل و همینطور فصل قبل, در خیلی از تستها میشه از رد گزینه به کمک خصوصیات پاسخ, یعنی بدون حل کامل هم جواب رو تشخیص داد):
1
2ع
5ع
8ع ع
10ع
12ع
14ع
15
21
24ع
26ع
28ع ع
29
30
36ع ع
38ع ع
39

فصل 9: ماندگار سینوسی:
2
3
5
12
18ع
21
24
ع25
36ع
37ع
388
39
40
42ع
44ع ع
46
51 ع ع
53 ع ع
54ع ع
55 ع ع ع
57ع ع
58ع

فصل 10: توان:
2
4
8ع
14
15ع
16ع
17ع
18ع
19ع
20ع
21ع
22ع
23ع ع
24ع ع
28ع ع
31ع ع
32ع
34
35
36
45ع ع
تمرینهای مفید از رهیافت مدار
ادامه: جلد دوم رهیافت:
فصل 12: فرکانس مختلط
بعضی از سوالهای این فصل حلشون اشکال داره.مثلا در شمارش تعداد فرکانسهای طبیعی که سلفهای موازی رو مجموعا یک سلف به حساب آورده(یا خازنهای سری) در حالی که اینطور نیست و سلفهای موازی باعث ایجاد فرکانس طبیعی صفر می شوند. سوالاتی که غلط هستند رو جلوشون "غ" مینویسم. ولی خودتون درستش رو پیدا کنید.در ضمن بعضی سوالات این فصل اگر تست باشند, معمولا روش تستی هم دارند
7
10
15
17ع
19عع ع
20
22
23ع
24ع
25ع
26ع
27ع
28ع
29ع
30ع
31ع
32ع
33ع
34ع
35ع (کمی مشکل داره)
37ع( کمی مشکل داره)
38ع ءءءءءءءءءءءءءءءءءءء
40ع
41
43
44
45ع
47ع
48ع
49ع
50ع
51
52ع ع54ع ع
55ع
56ع
57ع
58ع
فصل 13: مدارهای تشدیدبیشتر مباحثش رو در کنترل و سیگنال میخونید)
5ع

فصل 14: القاکنایی متقابل(باید بتونید معادالات KVL تمیز و بدون خطا بنویسید-از تبدیل دو سلف مزدوج به سه سلفT شکل خیلی استفاده کنید-اول کار ولتاژ روی هر سلف ناشی از همه جریانها رو روی اون سلف بنویسید):
7ع
8
9ع
10ع
11ع
12ع13
14
17
18
20ع
27ع ع
28ع ع
29ع ع
30 ع ع
31ع ع
32عع
33ع
34
35ع
36ع
38ع
39ع
41ع ع
42ع ع
43ع ع

فصل 15(مدارهای دو دریچه ای:
باید بتونید دو معادله از چهار مجهول مدار رو سریع بنویسید(مهم نیست KVL یا KCL و بعد معادلات رو به فرم خواسته شده مرتب کنید تا پرامترهای مورد نظر بدست بیاد.) تشخیص اینکه چطور دو معادله پیدا کنید مهم هست. روش گفته شده در مورد مدارهای متقارن در این کتاب خیلی مفید هست.-ترکیب سری و موازی و.دوقطبی ها رو خوب بلد باشید)
1
2ع
3ع
4
5ع
6
7ع
8
9ع ع
12ع ع
13
14
18ع ع
19ع
20ع
21ع
22ع
23ع
24ع
26
27ع ع
28ع ع
29ع ع
30ع ع
32ع
33ع
34عع
35ع
36ع
37ع
39ع ع
41ع
42ع ع
45ع
46ع ع
47ع
48ع ع
50ع ع
51 ع ع

فصل 16: معادلات حالت: روشهاای تستی و رد گزینه خیلی زیادی برای این فصل هست.
1
2
3ع
4ع
5
6ع ع
7
8ع
9
10*
11
12*
13**
14**
15**
16*
18**
19
20**
22*
26**
30**
32**
33**
فصل 17:گانولوشن: این فصل رو در سیگنال کاملتر میخونید. به هر حال برای دوستانی که قدرت امتحان میدن:
1
3*
4
5
6
7*
8
9**
10**
12**
14**
15
16
17**
18**
19**
21*
22**
25
26
27*
28
29*
30**

 تمرینهای مفید از رهیافت مدار
فصل 18: لاپلاس:
1*
2*
3*
4
6*
7**
9
11
16*
17
21*
22*
28*
29**
31**
32**
34**
36
37**
38
50
54
60*
61*
فصل 19: مدارهای غیرخطی: همش رو بخونید.هر چند مدارهای غیر خطی تنوع سوالهاش بسیار گسترده میتونه باشه و تقریبا هر سال یک سوال جدید و متفاوت با سالهای قبل میاد

فصل آخر: مرور: همه سوالهای این فصل بسیار مهم هستند. حتما همش رو بخونید

در آخر اینکه روشهای تستی که برای بعضی سوالها وجود داره رو باید خودتون با حل تشریحی زیاد تستها بهش برسید. براي اطلاعات بيشتر با  
تماس بگيرين:5:koshasadegh@yahoo.com]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/18</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 14:45:08 PM GTM+0430</pubDate>

<title>ترانزيستور ؟</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/17</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11:
معرفی 

ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی(s) و ترانزیستورهای اثر می‌دانیTs. اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می‌دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد. مدل‌های ترانزیستور را ببینید. لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطه‌ای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبل‌هایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می‌داد، اما این ایده خیلی زود رها شد. در مدارات آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت کننده‌ها استفاده می‌شوند، (تقویت کننده‌های جریان مستقیم، تقویت کننده‌های صدا، تقویت کننده‌های امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شوند، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می‌روند. مدارات دیجیتال شامل گیت‌های منطقی، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، میکروپروسسورها و پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSPs) هستند. ترانزیستور می‌تواند به عنوان سویچ نیز کار کند. ترانزستور سه بایه دارد.
ساختمان ترانزیستور

BJT از اتصال سه لایه بلور نیمه هادی تشکیل می‌شود. لایه وسطی بیس(base)، و دو لایه جانبی، یکی امیتر(emitter) و دیگری کلکتور(collector) نام دارد. نوع بلور بیس، با نوع بلورهای امیتر و کلکتور متفاوت است.[۱] دریک ترانزیستور دوقطبی، لایه امیتر یا گسیلنده بیشترین مقدار ناخالصی را دارد. که الکترونها از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، گسیل داده می شود.[۲]
اهمیت 

ترانزیستور از سوی بسیاری بعنوان یکی از بزرگترین اختراعات در تاریخ نوین مطرح شده‌است، در رتبه بندی از لحاظ اهمیت در کنار ماشین چاپ، خودرو و ارتباطات الکترونیکی و الکتریکی قرار دارد. ترانزیستور عنصر فعال کلیدی در الکترونیک مدرن است. اهمیت ترانزیستور در جامعه امروز متکی به قابلیت آن برای تولید انبوه که از یک فرآیند (ساخت) کاملاً اتماتیک که قیمت تمام شده هر ترانزیستور در آن بسیار ناچیز است استفاده می‌کند. اگرچه میلیون‌ها ترانزیستور هنوز تکی (به صورت جداگانه) استفاده می‌شوند ولی اکثریت آنها به صورت مدار مجتمع (اغلب به صورت مختصر IC و همچنین میکرو چیپ یا به صورت ساده چیپ نامیده می‌شوند) همراه با دیودها، مقاومت‌ها، خازن‌ها و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار کامل الکترونیک ساخته می‌شوند. یک گیت منطقی حاوی حدود بیست ترانزیستور است در مقابل یک ریزپردازنده پیشرفته سال ۲۰۰۶ که می‌تواند از بیش از ۷/۱ میلیون ترانزیستور استفاده کند (ماسفت‌ها)[۱]. قیمت کم، انعطاف پذیری و اطمینان از ترانزیستور یک قطعه همه کاره برای وظایف غیرمکانیکی مثل محاسبه دیجیتال ساخته‌است. مدارات ترانزیستوری به خوبی جایگزین دستگاه‌های کنترل ادوات و ماشین‌ها شده‌اند. استفاده از یک میکروکنترلر استاندارد و نوشتن یک برنامه رایانه‌ای که عمل کنترل را انجام می‌دهد اغلب ارزان تر و موثرتر از طراحی معادل مکانیکی آن می‌باشد. بعلت قیمت کم ترانزیستورها و ازاینرو رایانه‌ها گرایشی برای دیجیتال کردن اطلاعات وجود دارد. با رایانه‌های دیجیتالی که توانایی جستوجوی سریع، دسته بندی و پردازش اطلاعات دیجیتال را ارائه می‌کنند، تلاش بیشتری برای دیجیتال کردن اطلاعات شده‌است. در نتیجه امروزه داده‌های رسانه‌ای بیشتری به دیجیتال تبدیل می‌شوند، در پایان توسط رایانه تبدیل شده و به صورت آنالوگ در اختیار قرار می‌گیرد. تلویزیون، رادیو و روزنامه‌ها چیزهایی هستند که تحت تاثیر این انقلاب دیجیتال واقع شده‌اند.
مزایای ترانزیستورها بر لامپ‌های خلإ 

قبل از گسترش ترانزیستورها، لامپ‌های خلإ (یا در UK لامپ‌های ترمیونیک یا فقط لامپ‌ها) قطعات فعال اصلی تجهیزات الکترونیک بودند. مزایای کلیدی که به ترانزیستورها اجازه جایگزینی با لامپ‌های خلإ سابق در بیشتر کاربردها را داد در زیر آمده‌است: اندازه کوچک تر (با وجود ادامه کوچک سازی لامپ‌های خلإ) تولید کاملاً اتوماتیک هزینه کمتر (در حجم تولید) امکان ولتاژ کاری پایین تر (اما لامپ‌های خلإ در ولتاژهای بالاتر می‌توانند کار کنند) نداشتن دوره گرم شدن (بیشتر لامپ‌های خلإ به ۱۰ تا ۶۰ ثانیه زمان برای عملکرد صحیح نیاز دارند) تلفات توان کمتر (نداشتن توان گرمایی، ولتاژ اشباع خیلی پایین) قابلیت اطمینان بالاتر و سختی فیزیکی بیشتر(اگرچه لامپ‌های خلإ از نظر الکتریکی مقاوم ترند. همچنین لامپ خلإ در برابر پالس‌های الکترومغناطیسی هسته‌ای (NEMP) وتخلیه الکترو استاتیکی (ESD) مقاوم ترند عمر خیلی بیشتر (قطب منفی لامپ خلإ سرانجام ازبین می‌رود و خلإ آن می‌تواند آلوده بشود) فراهم آوردن دستگاه‌های مکمل (امکان ساختن مدارات مکمل متقارن: لامپ خلإ قطبی معادل نوع مثبت BJTها و نوع مثبت FETها در دسترس نیست) قابلیت کنترل جریان بالا (ترانزیستورهای قدرت بریای کنترل صدها آمپر در دسترسند، لامپ‌های خلإ برای کنترل حتی یک آمپر بسیار بزرگ و هزینه برند) میکروفونیک بسیار کمتر (لرزش می‌تواند با خصوصیات لامپ خلإ تلفیق شود، به هر حال این ممکن است در صدای تقویت کننده‌های گیتار شرکت کند)
تاریخچه 

اولین سه حق ثبت اختراع ترانزیستور اثرمیدان در سال ۱۹۲۸ در آلمان توسط فیزیک دانی به نامJulius Edgar Lilienfeld ثبت شد، اما او هیچ مقاله‌ای در باره قطعه اش چاپ نکرد و این سه ثبت اختراع از طرف صنعت نادیده گرفته شد. در سال ۱۹۳۴ فیزیکدان آلمانی دکتر Oskar Heil ترانزیستور اثر میدان دیگری را به ثبت رساند. هیچ مدرک مستقیمی وجود ندارد که این قطعه ساخته شده‌است، اما بعداً کارهایی در دهه ۱۹۹۰ نشان داد که یکی از طرح‌های Lilienfeld کار کرده و گین قابل توجه‌ای داده‌است. اوراق قانونی از آزمایشگاه‌های ثبت اختراع بل نشان می‌دهد که Shockley و Pearson یک نسخه قابل استفاده از اختراع Lilienfeld ساخته‌اند، در حالی که آنها هیچگاه این را در تحقیقات و مقالات خود ذکر نکردند. ترانزیستورهای دیگر، R. G. Arns در ۲۳ دسامبر ۱۹47 Wiliam Shockley, John Bardeen و Walter Brattain موفق به ساخت اولین ترانزیستور اتصال نقطه‌ای در آزمایشگاه بل شدند. این کار با تلاش‌های زمان جنگ برای تولید دیودهای مخلوط کننده ژرمانیم خالص «کریستال» ادامه یافت، این دیودها در واحدهای رادار بعنوان عنصر میکسر فرکانس در گیرنده‌های میکروموج استفاده می‌شد. یک پروژه موازی دیودهای ژرمانیم در دانشگاه Purdue موفق شد کریستال‌های نیمه هادی ژرمانیم را با کیفیت خوب که در آزمایشگاه‌های بل استفاده می‌شد را تولید کند.[۲] سرعت سوئیچ تکنولوژی لامپی اولیه برای این کار کافی نبود، همین تیم Bell را سوق داد تا از دیودهای حالت جامد به جای آن استفاده کنند. آنها با دانشی که در دست داشتند شروع به طراحی سه قطبی نیمه هادی کردند، اما دریافتند که کار ساده‌ای نیست. Bardeen سرانجام یک شاخه جدید فیزیک سطحی را برای محاسبه رفتار عجیبی که دیده بودند ایجاد کرد و سرانجام Brattain و Bardeen موفق به ساخت یک قطعه کاری شدند. آزمایشگاه‌های تلفن بل به یک اسم کلی برای اختراع جدید نیاز داشتند: «سه قطبی نیمه هادی»، «سه قطبی جامد»، «سه قطبی اجزاء سطحی»، «سه قطبی کریستال» و «لاتاتورن» که همه مطرح شده بودند، اما «ترانزیستور» که توسط John R. Pierce ابداع شده بود، برنده یک قرعه کشی داخلی شد. اساس وبنیاد این اسم در یاداشت فنی بعدی شرکت رای گیری شد: ترانزیستور، این یک ترکیب مختصر از کلمات «ترانسکانداکتانس» یا «انتقال» و «مقاومت متغیر» است. این قطعه منطقاً متعلق به خانواده مقاومت متغیر می‌باشد و یک امپدانس انتقال یا گین دارد بنابراین این اسم یک ترکیب توصیفی است. -آزمایشگاه‌های تلفن بل- یاداشت فنی(۲۸ می‌۱۹۴۸) Pierce این نام را قدری متفاوت تفسیر کرد: دلیلی که من این نام را انتخاب کردم این بود که من فکر کردم این قطعه چکار می‌کند، در آن زمان تصور می‌شد که این قطعه مثل دو لامپ خلإ است. لامپ‌های خلإ هدایت انتقالی دارند بنابراین ترانزیستور مقاومت انتقالی دارد. و این اسم می‌بایست متناسب با نام دیگر قطعات مثل وریستور، ترمیستور باشد. و من اسم ترانزیستور را پیشنهاد کردم. PBC Show مصاحبه با john R. Pierce بل فوراً ترانزیستور تک اتصالی را جزء تولیدات انحصاری شرکت Western Electric، شهر Allentown در ایالت Pennsylvania قرار داد. نخستین ترانزیستورهای گیرنده‌های رادیو AM در معرض نمایش قرار گرفتند، اما در واقع فقط در سطح آزمایشگاهی بودند. بهرحال در سال ۱۹50 Shockley یک نوع کاملاً متفاوت ترانزیستور را ارائه داد که به ترانزیستور اتصال دوقطبی معروف شد. اگرچه اصول کاری این قطعه با ترانزیستور تک اتصالی کاملاً فرق می‌کند، قطعه‌ای است که امروزه به عنوان ترانزیستور شناخته می‌شود. پروانه تولید این قطعه نیز به تعدادی از شرکت‌های الکترونیک شامل Texas Instrument که تعداد محدودی رادیو ترانزیستوری بعنوان ابزار فروش تولید می‌کرد داده شد. ترانزیستورهای اولیه از نظر شیمیایی ناپایدار بودند و فقط برای کاربردهای فرکانس و توان پایین مناسب بودند، اما همینکه طراحی ترانزیستور توسعه یافت این مشکلات نیز کم کم رفع شدند. اگرچه اغلب نادرست به Sony نسبت داده می‌شود، ولی اولین رادیو ترانزیستوری تجاری Regency TR-1 بود که توسط Regency Division از I.D.E.A (گروه مهنسی توصعه صنعتی) شهر Indianapolis ایالت Indiana ساخته شده و در ۱۸ اکتبر ۱۹۵۴ اعلام شد. آین رادیو در نوامبر ۱۹۵۴ به قیمت ۹۵/۴۹ دلار(معادل با ۳۶۱ دلار در سال ۲۰۰۵) به فروش گذاشته شد و تعداد ۱۵۰۰۰۰ از آن به فروش رفت. این رادیو از ۴ ترانزیستور استفاده می‌کرد وبا یک باتری ۵/۲۲ ولتی راه اندازی می‌شد. هنگامیکه Masaru Ibuka، موسس شرکت ژاپنی سونی از آمریکا دیدن می‌کرد آزمایشگاه‌های بل ارائه مجوز ساخت شامل ریز دستوراتی مبنی بر چگونگی ساخت ترانزیستور را اعلام کرده بودند. Ibuka مجوز خرید ۵۰۰۰۰ دلاری پروانه تولید را از وزیر دارایی ژاپن گرفت و در سال ۱۹۵۵ رادیوی جیبی خود را تحت مارک سونی معرفی کرد. (کلمه جیبی اشاره دارد به مطلب بدنامی سونی وقتیکه فروشنده آنها پیراهن مخصوصی با جیب‌های بزرگ داشت). این محصول بزودی با طرح‌های بلند پروازانه ادامه پیدا کرد، اما آنها بعنوان آغاز رشد شرکت سونی از طرف عموم مورد توجه قرار می‌گرفتند تا سونی به یک قدرت تولیدی تبدیل شد. بعد از دو دهه ترانزیستورها بتدریج جای لامپ‌های خلإ را در بسیاری از کاربردها گرفتند و بعدها امکان تولید دستگاه‌های جدیدی از قبیل مدارات مجتمع و رایانه‌های شخصی را فراهم آوردند. از Shockley, Bardeen و Brattian بخاطر تحقیقاتشان در مورد نیمه هادی‌ها وکشف اثر ترانزیستر با جایزه نوبل فیزیک قدردانی شد. Bardeen می‌رفت که دومین جایزه نوبل فیزیک را دریافت کند، یکی از دو نفری که بیش از یک جایزه از یک متد می‌گرفت. اولین ترانزیستور Gallium-Arsenide Schottky-gate توسط Carver Mead ساخته و در سال ۱۹۶۶ گزارش داده شد.
کاربرد 

ترانزیستور دارای ۳ ناحیه کاری می‌باشد. ناحیه قطع/ناحیه فعال(کاری یا خطی)/ناحیه اشباع ناحیه قطع حالتی است که ترانزیستور در ان ناحیه فعالیت خاصی انجام نمی‌دهد. اگر ولتاژ بیس را افزایش دهیم ترانزیستور از حالت قطع بیرون امده و به ناحیه فعال وارد می‌شود در حالت فعال ترانزیستور مثل یک عنصر تقریبا خطی عمل می‌کند اگر ولتاژ بیس را همچنان افزایش دهیم به ناحیه‌ای می‌رسیم که با افزایش جریان ورودی در بیس دیگر شاهد افزایش جریان بین کلکتور و امیتر نخواهیم بود به این حالت می‌گویند حالت اشباع و اگر جریان ورودی به بیس زیاد تر شود امکان سوختن ترانزیستور وجود دارد. ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. درمدارات آنالوگ ترانزیستور در حالت فعال کار می‌کند و می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و... استفاده کرد. و در مدارات دیجیتال ترانزیستور در دو ناحیه قطع و اشباع فعالیت می‌کند که می‌توان از این حالت ترانزیستور در پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و... استفاده کرد. به جرات می‌توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.
عملکرد 

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.
انواع 

دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) (Bipolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدان) (Field Effect Transistors) هستند. ترانزیستورهای اثزمیدان یا FETها نیز خود به دو دستهٔ ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET) و MOSFET‌ها (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی 

در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه بجای استفاده از مقاومت وخازن و... در مدارات مجتمع تمامآازترانزیستوراستفاده می‌کنند
ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET) 

در ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors(در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر می‌دانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند. نواحی کار این ترانزستورها شامل «فعال» و «اشباع» و «ترایود» است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.

انواع ترانزیستور پیوندی

pnp

شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

npn

شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعهٔ pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.


ساختمان ترانزیستور پیوندی ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.


امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.


 
بازسازی اولین ترانزیستور جهان

طرز کار ترانزیستور پیوندی طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.


شیوهٔ اتصال ترازیستورها

اتصال بیس مشترک در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود.


اتصال امیتر مشترک مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد.


اتصال کلکتور مشترک اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.
ترانزیستور اثر میدان MOS 

این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند.

البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌روند AMB


ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت


ترانزیستور اثر میدانی (فت) - FET همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.

فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

نوع دیگر ترانزیستورهای اثر می‌دانی MOSFETها هستند (ترانزیستور اثر می‌دانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) یکی از اساسی‌ترین مزیت‌های ماسفت‌ها نویز کمتر آنها در مدار است.

فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم. یعنی پایه‌ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.
:5::5::5: براي اطلاع بيشتريا  سوال با من تماس بگيرين koshasadegh@yahoo.com]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/17</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 14:31:31 PM GTM+0430</pubDate>

<title>انواع سنسور با كارايي  روش كار انها؟</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/16</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11::11:
انواع سنسورها
سنسور چیست ؟ 


سنسور المان حس کننده ای است که کمیتهای فیزیکی مانند فشار، حرارت، رطوبت، دما، و ... را به کمیتهای الکتریکی پیوسته (آنالوگ) یا غیرپیوسته (دیجیتال) تبدیل می کند. این سنسورها در انواع دستگاههای اندازه گیری، سیستمهای کنترل آنالوگ و دیجیتال مانند PLC مورد استفاده قرار می گیرند. عملکرد سنسورها و قابلیت اتصال آنها به دستگاههای مختلف از جمله PLC باعث شده است که سنسور بخشی از اجزای جدا نشدنی دستگاه کنترل اتوماتیک باشد. سنسورها اطلاعات مختلف از وضعیت اجزای متحرک سیستم را به واحد کنترل ارسال نموده و باعث تغییر وضعیت عملکرد دستگاهها می شوند.

سنسورهای بدون تماس

سنسورهای بدون تماس سنسورهائی هستند که با نزدیک شدن یک قطعه وجود آنرا حس کرده و فعال می شوند. این عمل به نحوی که در شکل زیر نشان داده شده است می تواند باعث جذب یک رله، کنتاکتور و یا ارسال سیگنال الکتریکی به طبقه ورودی یک سیستم گردد.

کاربرد سنسورها

1- شمارش تولید: سنسورهای القائی، خازنی و نوری

2- کنترل حرکت پارچه و ...: سنسور نوری و خازنی

3- کنترل سطح مخازن: سنسور نوری و خازنی و خازنی کنترل سطح

4- تشخیص پارگی ورق: سنسور نوری

5- کنترل انحراف پارچه: سنسور نوری و خازنی

6- کنترل تردد: سنسور نوری

7- اندازه گیری سرعت: سنسور القائی و خازنی

8- اندازه گیری فاصله قطعه: سنسور القائی آنالوگ

مزایای سنسورهای بدون تماس

سرعت سوئیچینگ زیاد: سنسورها در مقایسه با کلیدهای مکانیکی از سرعت سوئیچینگ بالائی برخوردارند، بطوریکه برخی از آنها (سنسور القائی سرعت) با سرعت سوئیچینگ تا 25KHz کار می کنند.

طول عمر زیاد: بدلیل نداشتن کنتاکت مکانیکی و عدم نفوذ آب، روغن، گرد و غبار و ... دارای طول عمر زیادی هستند.

عدم نیاز به نیرو و فشار: با توجه به عملکرد سنسور هنگام نزدیک شدن قطعه، به نیرو و فشار نیازی نیست. 

قابل استفاده در محیطهای مختلف با شرایط سخت کاری: سنسورها در محیطهای با فشار زیاد، دمای بالا، اسیدی، روغنی، آب و ... قابل استفاده می باشند.

 

عدم ایجاد نویز در هنگام سوئیچینگ: به دلیل استفاده از نیمه هادی ها در طبقه خروجی، نویزهای مزاحم Bouncing Noiseایجاد نمی شود.

 

سنسورهای القائی

سنسورهای القائی سنسورهای بدون تماس هستند که تنها در مقابل فلزات عکس العمل نشان می دهند و می توانند فرمان مستقیم به رله ها، شیرهای برقی، سیستمهای اندازه گیری و مدارات کنترل الکتریکی PLC ارسال نمایند. مانند:.

سنسورهای مادون قرمز پسیو

وسایل الکترونیکی هستند که تشعشعات اینفرارد از اجسام و اهداف را در میدان دیدش اندازه گیری می کند. به این سنسورها "سنسورهای PIR" گفته می شود که از مخفف Passive InfraRed sensors گرفته شده است.

 

PIR ها گاهی برای آشکارسازی اهداف متحرک بکار می روند، به این صورت که منبع انتشار اینفرارد با یک دما، مانند بدن، از جلوی منبع اینفرارد دیگر با دمای دیگر، مانند دیوار عبور می کند و بر اساس این تغییر آشکار سازی صورت می گیرد.

همه اشیاء اینفرارد (مادون قرمز) تشعشع می کنند. این تشعشع از دید انسان نامرئی است ولی می تواند با وسایل الکترونیکی که برای این هدف ساخته شده اند، آشکار شود. عبارت "پسیو" در این سنسور به این معنی است که این سنسور از خود هیچ نوع انرژی ساتع نمی کند، و فقط تشعشعات اینفرارد را از قسمت جلوئی سنسور )Sensor Face( دریافت می کند. در هسته یا مرکز PIR یک یا دسته ای از سنسورهای نیمه هادی وجود دارد، که مساحت تقریبی آن یک چهارم اینچ مربع است. این ناحیه از مواد گرما برقی )pyroelectric( ساخته شده است.

 

سنسورهای فعلی روی چیپ ها از مواد گرما برقی طبیعی یا مصنوعی و معمولا به صورت یک غشا یا لایه نازک ساخته می شوند. بعضی از ترکیبات عبارتند از: گالیوم نیترید)GaN(، کاسیم نیترات )CsNO3)، پلى وينيل فلوراید، مشتقات فنیل پیرازین و لیتیوم تانتالیک (LiTaO3( که مانند کریستال است و خواص پیرو الکتریک و پیزو الکتریک -ويژگى برخى کريستالها که به هنگام اعمال ولتاژ به انها تحت فشار قرار مى گيرند يا به هنگام قرار گرفتن در معرض فشار مکانيکى يک ولتاژ توليد مى کنند- را با هم دارد.

سنسور PIR اغلب به عنوان قسمتی از مدارات مجتمع ساخته می شود و ممکن است شامل یک، دو، سه یا چهار "پیکسل"، شامل مساحتهای مساوی از مواد گرما برقی باشد. ممکن است سنسورها را به صورت جفتهائی به ورودیهای مخالف تقویت کننده های تفاضلی متصل کنند. در چنین ترکیبی اندازه گیریهای PIR ها یکدیگر را خنثی کرده و در نتیجه اندازه متوسط دمای میدان دید از سیگنال الکتریکی برداشته می شود. این به سنسور اجازه می دهد تا در مقابل آشکارسازی خطا که ناشی از تشعشعات نوری یا روشنائی های بزرگ است، مقاومت کند. نورهای روشن پیوسته می تواند این سنسور را اشباع کرده و باعث می شود تا سنسور نتواند اطلاعات بیشتری را ثبت کند. در عین حال این ترکیب تفاضلی، تداخل مد مشترک را مینیمم می کند که مانع از راه اندازی ناشی از میدانهای الکتریکی نزدیک به وسیله می شود. به هر حال این ترکیب نمی تواند دما را اندازه گیری کند و مختص آشکار سازی اشیاء متحرک است.


 

آشکارسازهای مبتنی بر سنسورهای PIR

در این آشکار سازها معمولا سنسور PIR روی برد مدار چاپی سوار است که دارای تجهیزاتی برای تفسیر سیگنال دریافتی می باشد. مدار اصلی در محفظه ای قرار دارد که در مکانی قرار می گیرد که در میدان دید سنسور قرار نگیرد. اینفرارد می تواند از پنجره به سنسور برسد چون پلاستیک بکار رفته در آن از دید اینفرارد شفاف است و برای حفاظت سنسور از گرد و غبار و حشرات که باعث پوشاندن میدان دید می شوند، بکار می رود.

مکانیسم کوچکی برای متمرکز کردن انرژی اینفرارد دور دست به سطح سنسور بکار می رود. به این صورت که پنجره فوق الذکر را از لنزهای فشرده شده ای می سازند و گاهی اوقات از آینه های سهموی برای این کار استفاده می کنند. همچنین یک پنجره ----- برای محدود کردن طول موج ورودی بین 14-8 میکرومتر قرار می گیرد که مهمترین تشعشعات اینفرارد انسان در آن قرار دارد و قویترین آنها 9/4 میکرومتر است.

وسیله PIR می تواند به عنوان یک دوربین بکار رود که می تواند مقدار انرژی متمرکز شده اینفرارد را به سطح خود در خود برای چند لحظه نگه دارد. یک بار که توان به PIR اعمال شد، انرژی برای چند لحظه در حالت سکون می ماند و می تواند یک رله کوچک را تحریک کند. این رله می تواند دسته ای از اتصالات الکتریکی را کنترل کند که به ورودی هشدار یک آشکار ساز متصل است. اگر انرژی تمرکز شده در طول زمان تغییر کند این وسیله حالت هشدار را تغییر می دهد. این رله معمولا یک رله نرمال بسته )NC( یا فرم B است. برای اطلاعات بیشتر در مورد رله این مقاله را مطالعه نمائید. 

یک شخص که وارد میدان دید سنسور شده آشکار می شود در صورتیکه انرژی اینفرارد ارسالی بدن متجاوز با قسمتی از مدار که انرژی محیط قبلی دیده شده توسط سنسور را از محیط حفاظت شده را دارد، تداخل پیدا کند. حالا این بخش از چیپ نسبت به وقتیکه شخص وجود نداشت گرمتر شده است. حال اگر متجاوز حرکت کند یک نقطه داغ را روی سطح سنسور توسط آینه متمرکز کننده جابجا می کند. این حرکت انرژی رله را تخلیه و اتصال هشدار را برقرار می کند. به طور عکس اگر شخص سعی کند با گرفتن یک عایق حرارتی از روبروی سنسور عبور کند، یک نقطه سرد را روی سطح سنسور جابجا کرده و انرژی رله را تخلیه و هشدار را فعال می کند. تنها راه این است که عایق همدما با میدان دید قبلی سنسور باشد.

 

سازندگان این سنسور پیشنهادات زیادی برای مکان نصب درست، برای جلوگیری از هشدار اشتباه دارند. آنها پیشنهاد می دهند که سنسور PIR را در مسیری که از شیشه دیده شود قرار ندهید. اگر چه طول موجهای حساس دستگاه از شیشه به راحتی نفوذ نمی کنند، ولی منابع اینفرارد قوی مانند موتور ماشینها یا بازتاب نور آفتاب می توانند با گول زدن دستگاه، هشدار اشتباه (بدون متجاوز) را فعال کنند. البته شخصی که بتواند از پشت سنسور عبور کند نیز نمی تواند آشکار شود.

 

همچنین توصیه شده که سنسور PIR در نزدیکی کانالهای هوا قرار نگیرد. زیرا با اینکه تشعشع اینفرارد هوا بسیار کم است ولی با خنک شدن پلاستیک محافظ و یا لنز می توانند به عنوان هدف خنک تلقی شده و هشدار را اشتباها فعال نمایند.

 

سنسورهای PIR با ترکیبات مختلف کاربردهای فراوانی دارد. اکثر کاربرد این سنسور در سیستمهای حفاظتی خانه است و رنجی در حدود 10 متر دارند. بعضی PIR های بزرگتر با یک آینه می توانند تغییرات اینفرارد را در 30 متری یا بیشتر حس کنند. همچنین PIR هائی وجود دارند که با آینه های چند جهتی می توانند میدان دید عریض تری در حدود 110 درجه یا برعکس باند باریک را حس کنند.

 

کنترل کننده های از راه دور حرارتی مبتنی بر سنسورهای PIR 

 

طراحان از خاصیت اندازه گیری از راه دور سنسورهای PIR استفاده کرده و با استفاده از خروجی "غیر تفاضلی" سنسور برای کنترل حرارت استفاده می کنند. سیگنال خروجی با سیگنال کالیبره شده بر اساس جنس و حرارت دیده شده توسط سنسور، مقایسه می شود. بدون کالیبراسیون PIR فقط می تواند تغییرات دمائی را به ما نشان دهد و نمی تواند دمای حقیقی آن را به ما بدهد.


 

 

سنسورهای بیوالکتریکی Biosensors

بیوسنسورها طی سالهای اخیر مورد توجه بسیاری از مراکز تحقیقاتی قرار گرفته است. بیوسنسورها یا سنسورهای بر پایه مواد بیولوژیکی اکنون گستره ی وسیعی از کاربردها نظیر صنایع دارویی، صنایع خوراکی، علوم محیطی، صنایع نظامی بخصوص شاخه Biowar و ... را شامل میشود.

توسعه بیوسنسورها از 1950 با ساخت الکترود اکسیژن توسط لی لند کلارک در سین سیناتی آمریکا برای اندازه گیری غلظت اکسیژن حل شده در خون آغاز شد. این سنسور همچنین بنام سازنده ی آن گاهی الکترود کلارک نیز خوانده میشود. بعداً با پوشاندن سطح الکترود با آنزیمی که به اکسیده شدن گلوکز کمک میکرد از این سنسور برای اندازه گیری قند خون استفاده شد. بطور مشابه با پوشاندن الکترود توسط آنزیمی که قابلیت تبدیل اوره به کربنات آمونیوم را داراست در کنار الکترودی از جنس یون NH4++ بیو سنسوری ساخته شده که میتوانست میزان اوره در خون یا ادرار را اندازه گیری کند. هر کدام از این دو بیوسنسور اولیه از ترنسدیوسر متفاوتی در بخش تبدیل سیگنال خویش استفاده میکردند. در نوع اول میزان قند خون با اندازه گیری جریان الکتریکی تولید شده اندازه گیری میشد (آمپرومتریک) در حالیکه در سنسور اوره اندازه گیری غلظت اوره بر اساس میزان بار الکتریکی ایجاد شده در الکترودهای سنسور صورت می پذیرفت)پتنشیومتریک Potentiometric(.

ممکن است روزی فرا رسد که بیمار بدون نیاز به مراجعه به پزشک و تنها بر مبنای اطلاعاتی که توسط یک COBD یا Chip-on-Board-Doctor فراهم میشود نوع بیماری تشخیص داده شده و سپس داروهای مورد نیاز مستقیماً درون خون تزریق شود. این مسئله باعث خواهد شد که دوز مصرفی دارو بسیار پایین آمده و ضمناً از میزان اثرات جانبی دارو Side-Effect بطرز فاحشی کاسته شود، چرا که دارو مستقیماً به محل مورد نیاز در بدن ارسال میشود.

کاری که یک بیوسنسور انجام میدهد تبدیل پاسخ بیولوژیکی به یک سیگنال الکتریکی است و شامل دو جزء اصلی: پذیرنده Receptor و آشکارکننده Detector است. قابلیت انتخابگری یک بیوسنسور توسط بخش پذیرنده تعیین میشود. آنزیمها، آنتی بادی ها، و لایه های لیپید (چربی) مثالهای خوبی برای Receptor هستند.

وظیفه دتکتور تبدیل تغییرات فیزیکی یا شیمیایی با تشخیص ماده مورد تجزیه )Analyte( به یک سیگنال الکتریکی است. کاملاً واضح است که دتکتورها قابلیت انتخاب در نوع واکنش صورت گرفته را ندارند. انواع دتکتورهای (یا ترانسدیوسرها یا مبدلها یا آشکارسازها) مورد استفاده در بیوسنسورها شامل: الکتروشیمیایی، نوری، پیزوالکتریک و حرارتی میباشند. در نوع الکتروشیمیای عمل تبدیل به یکی از صورتهای: آمپرومتریک، پتانشیومتریک، و امپدانسی صورت میپذیرد. متداولترین الکترودهای مورد استفاده در نوع پتانشیومتریک شامل: الکترود شیشه ای Glass Electrode، الکترود انتخابگر یونی Ion-Selective، و ترانزیستور اثرمیدان حساس یونی Ion-sensitive FET یا ISFET هستند.

بطورکلی یک بیوسنسور شامل یک سیستم بیولوژیکی ایستا Immobilized نظیر یک دسته سلول، یک آنزیم، و یا یک آنتی بادی و یک وسیله اندازه گیری است. در حضور مولکول معینی سیستم بیولوژیکی باعث تغییر خواص محیط اطراف میشود. وسیله اندازه گیری که به این تغییرات حساس است، سیگنالی متناسب با میزان و یا نوع تغییرات تولید میکند. این سیگنال را سپس میتوان به سیگنالی قابل فهم برای دستگاههای الکترونیکی تبدیل کرد.

مزایای بیوسنسورها بر سایر دستگاههای اندازه گیری موجود را میتوان بطور خلاصه بصورت زیر بیان کرد:

مولکولهای غیرقطبی زیادی در ارگانهای زنده شکل میگیرند که به بیشتر سیستمهای موجود اندازه گیری پاسخ نمی دهند. بیوسنسورها میتوانند این پاسخ را دریافت کنند.

مبنای کار آنها بر اساس سیستم بیولوژیکی ایستا Immobilized تعبیه شده در خود آنهاست، در نتیجه اثرات جانبی بر سایر بافتها ندارند.

کنترل پیوسته و بسیار سریع فعالیتهای متابولیسمی توسط این سنسورهای امکان پذیر است.

 

سنسور تشخیص حرکت بدن انسان PIR

همانطور که میدانید امروزه استفاده از سنسور های تشخیص حرکت رونق بسیار بالایی پیدا کرده ، هم در  زمینه های امنیتی و حفاظتی و هم در مسائل صرفه جویی و بهینه سازی ، سنسور های PIR یا   PASSIVE INFRA RED سنسورهایی هستند که طول موج Infrared محیط اطراف را دریافت میکنند. در  همین زمینه مطالبی به درد بخور و مدارات آماده برای شما دوستان آماده کردم ، همچنین مقاله ای کامل  برای ارایه به اساتید موجود میباشد . همچنین به علت کار این سنسور در موج مادون قرمز مقاله ای نیز  در زمینه موجهای مادون قرمز در همین مطلب موجود است که اگر از حق نگذریم مقاله ای کامل و بدون عیب و نقصی میباشد .

هر جسمی که دمایش بالاتر از صفر درجه مطلق باشد دارای تشعشعات Infrared یا مادون قرمز  میباشد . اما این موج دارای طول موج های مختلف برای درجه حرارتهای متفاوت است . کاری که  این سنسور انجام میدهد در واقع دریافت این امواج در رنج بدن انسان و تشخیص آن میباشد . از این سنسور در دستگاه هایی که برای تشخیص حرکت بدن انسان حتی به صورت جزئی استفاده میشود و از نظر دقت و قابلیت اعتماد در سطح بالایی میباشد بدین وسیله شما یک آشکار ساز حرکت دارید که فقط به حرکات بدن انسان حساس است ،

در مسائل امنیتی ، مثل دزدگیرها مفید میباشد و در مسائل مربوط به بهینه سازی مصرف انرژی  میتواند بسیار مفید واقع شود . در روبات زیر که تصویر آنرا مشاهده میکنید برای پیدا کردن انسان  در محیط های تاریک و فاقد نور کاربرد دارد .

 


تعریف ترانسدیوسر 

یک ترانسدیوسر بنا به تعریف ، قطعه ای است که وظیفه تبدیل حالات انرژی به یکدیگر را برعهده دارد ، بدین معنی که اگر یک سنسور فشار همراه یک ترانسدیوسر باشد ، سنسور فشار پارمتر را اندازه می گیرد و مقدار تعیین شده را به ترانسدیوسر تحویل می دهد ، سپس ترانسدیوسر آن را به یک سیگنال الکتریکی قابل درک برای کنترلر و صد البته قابل ارسال توسط سیم های فلزی ، تبدیل می کند .بنابراین همواره خروجی یک ترانسدیوسر ، سیگنال الکتریکی است که در سمت دیگر خط می تواند مشخصه ها و پارامترهای الکتریکی نظیر ولتاژ ، جریان و فرکانس را تغییر دهد ، البته به این نکته باید توجه داشت که سنسور انتخاب شده باید از نوع سنسورهای مبدل پارامترهای فیزیکی به الکتریکی باشد و بتواند مثلأ دمای اندازه گیری شده را به یک سیگنال بسیار ضعیف تبدیل کند که در مرحله بعدی وارد ترانسدیوسر شده و سپس به مدارهای الکترونیکی تحویل داده خواهد شد .

برای درک این مطلب به تفاوتهای میان دو سنسور انداره گیر دما می پردازیم : ترموکوپل و درجه حرارت جیوه ای ، دو نوع سنسور دما هستند که هر دو یک عمل را انجام می دهند ، اما ترموکوپل در سمت خروجی سیگنال الکتریکی ارائه می دهد ، در حالی که درجه حرارت جیوه ای خروجی خود را به شکل تغییرات ارتفاع در جیوه داخلش نشان می دهد .

 

تعریف ترانسمیتر

ترانسمیتر وسیله ای است که یک سیگنال الکتریکی ضعیف را دریافت کرده و به سطوح قابل قبول برای کنترلرها و مدارهای الکترونیکی تبدیل می کند ، مثلأ یک حلقه فیدبک سیگنالی در سطح ماکروولت یا میلی ولت یا میلی آمپرتولید می کند و این سیگنال ضعیف می تواند با عبور از ترانسمیتر به سیگنالی در سطوح صفر تا ده ولت و یا 4 تا 20 میلی آمپر تبدیل شود. ترانسمیترها عمومأ از قطعاتی مثلop-amp برای تقویت و خطی کردن این سطوح ضعیف سیگنال استفاده می کند . سنسورها و ملحقات آنها مثل ترانسدیوسرها را در گروه های بزرگی تحت عنوان ابزار دقیق قرار داده و آنها را بر اساس نوع انرژی قابل استفاده و روشهای تبدیل ، دسته بندی می کنند .


 

 

سنسورهای فشار

فشار را به کمک دستگاههای فشار سنج اندازه می‌گیرند، عمده‌ترین فشار سنجها که بر حسب مکانیزم کارشناسان نامگذاری شده است عبارتند از:

فشارسنج لوله U شکل

فشارسنج مکلئود

فشارسنج جیوه‌ای

فشارسنج ترموکوپل

فشارسنج صوتی

فشارسنج خازنی

فشارسنج گاز ایده‌ال

فشارسنج لوله U شکل

ساده ترین و معروفترین آنها فشار سنج لوله U شکل است که در آن مقداری جیوه در لوله U شکل ریخته شده و میزان اختلاف فشار محیط )هوا که برابر p0 است( و ماده داخل فشارسنج که بر مایع جیوه فشار وارد می‌کند از طریق اختلاف ارتفاع ستون مایع جیوه اندازه گیری می‌شود. بنابراین از این طریق فشار واقعی را می‌توانیم بدست آوریم: )P = P0 + ρg )h - h0

در رابطه اخیر P فشار و ρ چگالی ماده و P0 فشار اتمسفر ، h0 ارتفاع ستون مایع در فشار اتمسفر ، g شتاب جاذبه و h ارتفاع ستون مایع در فشار ماده می‌باشد.

 

فشارسنج جیوه‌ای)Mercury Barometer( 

این فشار سنج اساساً از یک لوله خالی از هوا درست شده است که یک طرف آن مسدود و طرف دیگر آن که باز است در ظرف پر از جیوه فرو برده شده است. فشار هوای بیرون ، جیوه را از منبع به سمت داخل لوله می‌راند. جیوه تا حدی که وزن آن در داخل لوله ، دقیقاً معادل نیروی ناشی از فشار هوا گردد در لوله فشار سنج بالا می‌رود و سپس در حالت تبادل و سکون باقی می‌ماند. با تغییر فشار هوا ، سطح جیوه در داخل لوله نیز بالا و پایین خواهد رفت. در شرایط نرمال جیوه به اندازه 92/29 اینچ یا 760 میلیمتر در لوله بالا می‌آید که فشاری معادل 15/1013 میلی بار است. جیوه در داخل لوله فشارسنج به دلیل خاصیت کشش سطحی دارای یک سطح محدب است که هنگام تعیین فشار، باید بالاترین سطح محدب قرائت شود.

 

 

فشارسنج فلزی )Aneroid( 

فشارسنج فلزی وسیله‌ای است مکانیکی که از یک محفظه قوطی شکل استوانه‌ای بدون هوا تشکیل شده است؛ با تغییر فشار هوا این محفظه منقبظ یا منبسط می‌شود. با یک سیستم نسبتاً پیچیده که مرکب از تعدادی اهرم و قرقره است این تغییرات بزرگ شده و به یک عقربه که بر روی صفحه مدرجی حرکت می‌کند، منتقل می‌شود. یک شاخص متحرک که می‌تواند در یک نقطه ثابت شود بر روی فشار سنج تعبیه شده است تا بتوان تغییرات فشار را نسبت به آخرین قرائت اندازه گیری کرد.

فشار نگار )Barograph( 

فشار نگار مشابه فشارسنج فلزی است با این تفاوت که اثر تغییرات فشار در محفظه بدون هوا ، به یک قلم انتقال داده شده و قلم بر روی کاغذی که دور یک استوانه چرخان پیچیده شده است خط پیوسته‌ای را رسم می‌کند. محور عمودی این صفحه بر حسب واحد فشار و محور افقی آن بر حسب زمان مدرج شده است که معمولاً برای هر دو ساعت یک خط وجود دارد. فشار نگارهای دقیقی هم ساخته شده است که قادرند تغییرات فشار را تا یک دهم میلی بار اندازه گیری نمایند، این دستگاهها میکرو باروگراف نامیده شده‌اند.


سنسورها در ربات

سنسورها اغلب برای درک اطلاعات تماسی، تنشی، مجاورتی، بینایی و صوتی به‌کار می‌روند. عملکرد سنسورها بدین‌گونه است که با توجه به تغییرات فاکتوری که نسبت به آن حساس هستند،

سطوح ولتاژی ناچیزی را در پاسخ ایجاد می‌کنند، که با پردازش این سیگنال‌های الکتریکی می‌توان اطلاعات دریافتی را تفسیر کرده و برای تصمیم‌گیری‌های بعدی از آن‌ها استفاده نمود.

سنسورها را می‌توان از دیدگاه‌های مختلف به دسته‌های متفاوتی تقسیم کرد که در ذیل می‌آید:

a.سنسور محیطی: این سنسورها اطلاعات را از محیط خارج و وضعیت اشیای اطراف ربات، دریافت می‌نمایند 

b.سنسور بازخورد: این سنسور اطلاعات وضعیت ربات، از جمله موقعیت بازوها، سرعت حرکت و شتاب آن‌ها و نیروی وارد بر درایورها را دریافت می‌نمایند.

c.سنسور فعال: این سنسورها هم گیرنده و هم فرستنده دارند و نحوه کار آن‌ها بدین ترتیب است که سیگنالی توسط سنسور ارسال و سپس دریافت می‌شود.

d.سنسور غیرفعال: این سنسورها فقط گیرنده دارند و سیگنال ارسال شده از سوی منبعی خارجی را آشکار می‌کنند، به‌ ‌همین دلیل ارزان‌تر، ساده‌تر و دارای کارایی کمتر هستند.

سنسورها از لحاظ فاصله‌ای که با هدف مورد نظر باید داشته باشند به سه قسمت تقسیم می‌شوند:

•سنسور تماسی: این نوع سنسورها در اتصالات مختلف محرک‌ها مخصوصا در عوامل نهایی یافت می‌شوند و به دو بخش قابل تفکیک‌اند.

i.سنسورهای تشخیص تماس

ii.سنسورهای نیرو-فشار

•سنسورهای مجاورتی: این گروه مشابه سنسورهای تماسی هستند، اما در این مورد برای حس کردن لازم نیست حتما با شی در تماس باشد. عموما این سنسورها از نظر ساخت از نوع پیشین دشوارترند ولی سرعت و دقت بالاتری را در اختیار سیستم قرار می‌دهند.

دو روش عمده در استفاده از سنسورها وجود دارد:

i.حس کردن استاتیک: در این روش محرک‌ها ثابت‌اند و حرکت‌هایی که صورت می‌گیرد بدون مراجعه لحظه‌ای به سنسورها صورت می‌گیرد.به عنوان مثال در این روش ابتدا موقعیت شی تشخیص داده می‌شود و سپس حرکت به سوی آن نقطه صورت می‌گیرد.

ii.حس کردن حلقه بسته: در این روش بازوهای ربات در طول حرکت با توجه به اطلاعات سنسورها کنترل می‌شوند. اغلب سنسورها در سیستم‌های بینا این‌گونه‌اند.

حال از لحاظ کاربردی با نمونه‌هایی از انواع سنسورها در ربات آشنا می‌شویم: 

a.سنسورهای بدنه )Body Sensors(این سنسورها اطلاعاتی را درباره موقعیت و مکانی که ربات در آن قرار داردفراهم می‌کنند. این اطلاعات نیز به کمک تغییر وضعیت‌هایی که در سوییچ‌ها حاصل می‌شود، به دست می‌آیند. با دریافت و پردازش اطلاعات بدست آمده ربات می‌تواند از شیب حرکت خود و این‌که به کدام سمت در حال حرکت است آگاه شود. در نهایت هم عکس‌العملی متناسب با ورودی دریافت شده از خود بروز می‌دهد. 

b.سنسور جهت‌یاب مغناطیسی)Direction Magnetic Field Sensor( با بهره‌گیری از خاصیت مغناطیسی زمین و میدان مغناطیسی قوی موجود، قطب‌نمای الکترونیکی هم ساخته شده است که می‌تواند اطلاعاتی را درباره جهت‌های مغناطیسی فراهم سازد. این امکانات به یک ربات کمک می‌کند تا بتواند از جهت حرکت خود آگاه شده و برای تداوم حرکت خود در جهتی خاص تصمصم‌گیری کند. این سنسورها دارای چهار خروجی می‌باشند که هرکدام مبین یکی از جهت‌ها است. البته با استفاده از یک منطق صحیح نیز می‌توان شناخت هشت جهت مغناطیسی را امکان‌پذیر ساخت.

c.سنسورهای فشار و تماس )Touch and Pressure Sensors( شبیه‌سازی حس لامسه انسان کاری دشوار به نظر می‌رسد. اما سنسورهای ساده‌ای وجود دارند که برای درک لمس و فشار مورد استفاده قرار می‌گیرند. از این سنسورها در جلوگیری از تصادفات و افتادن اتومبیل‌ها در دست‌اندازها استفاده می‌شود. این سنسورها در دست‌ها و بازوهای ربات‌ هم به منظورهای مختلفی استفاده می‌شوند. مثلا برای متوقف کردن حرکت ربات در هنگام برخورد عامل نهایی با یک شی. همچنین این سنسورها به ربات‌ها برای اعمال نیروی کافی برای بلند کردن جسمی از روی زمین و قرار دادن آن در جایی مناسب نیز کمک می‌کند. با توجه به این توضیحات می‌توان عملکرد آن‌ها را به چهار دسته زیر تقسیم کرد: 1- رسیدن به هدف، 2- جلوگیری از برخورد، 3- تشخیص یک شی.

d.سنسورهای گرمایی )Heat Sensors( یکی از انواع سنسورهای گرمایی ترمینستورها هستند. این سنسورها المان‌های مقاومتی پسیوی هستند که مقاومتشان متناسب با دمایشان تغییر می‌کند. بسته به اینکه در اثر گرما مقاومتشان افزایش یا کاهش می‌یابد، برای آن‌ها به ترتیب ضریب حرارتی مثبت یا منفی را تعریف می‌کنند. نوع دیگری از سنسورهای گرمایی ترموکوپل‌ها هستند که آن‌ها نیز در اثر تغییر دمای محیط ولتاژ کوچکی را تولید می‌کنند. در استفاده از این سنسورها معمولا یک سر ترموکوپل را به دمای مرجع وصل کرده و سر دیگر را در نقطه‌ای که باید دمایش اندازه‌گیری شود، قرار می‌دهند

e. سنسورهای بویایی )Smell Sensors( تا همین اواخر سنسوری که بتواند مشابه حس بویایی انسان عمل کند، وجود نداشت. آنچه که موجود بود یک‌سری سنسورهای حساس برای شناسایی گازها بود که اصولا هم برای شناسایی گازهای سمی کاربرد داشتند. ساختمان این سنسورها به این صورت است که یک المان مقاومتی پسیو که از منبع تغذیه‌ای مجزا، با ولتاژ 5+ ولت تغذیه می‌شود، در کنار یک سنسور قرار دارد که با گرم شدن این المان حساسیت لازم برای پاسخ‌گویی سنسور به محرک‌های محیطی فراهم می‌شود. برای کالیبره کردن این دستگاه ابتدا مقدار ناچیزی از هر بو یا عطر دلخواه را به سیستم اعمال کرده و پاسخ آن را ثبت می‌کنند و پس از آن این پاسخ را به عنوان مرجعی برای قیاس در استفاده‌های بعدی به کار می‌‌برند. اصولا در ساختمان این سیستم چند سنسور، به طور همزمان عمل می‌کنند و سپس پاسخ‌های دریافتی از آن‌ها به شبکه‌ عصبی ربات منتقل شده و تحلیل و پردازش لازم روی آن صورت می‌گیرد. نکته مهم درباره کار این سنسورها در این است که آن‌ها نمی‌توانند یک بو یا عطر را به طور مطلق انداره‌ بگیرند. بلکه با اندازه‌گیری اختلاف بین آن‌ها به تشخیص بو می‌پردازند.

f.سنسورهای موقعیت مفاصل : رایج‌ترین نوع این سنسورها کدگشاها )Encoders( هستند که هم از قدرت بالای تبادل اطلاعات با کامپیوتر برخوردارند و هم اینکه ساده، دقیق، مورد اعتماد و نویز ناپذیرند. این دسته انکدرها را به دو دسته می‌توان تقسیم کرد:

i.انکدرهای مطلق: در این کدگشا ها موقعیت به کد باینری یا کد خاکستری BCD Binary Codded Decibleتبدیل می‌شود. این انکدرها به علت سنگینی و گران‌قیمت بودن و اینکه سیگنال‌های زیادی را برای ارسال اطلاعات نیاز دارند، کاربرد وسیعی ندارند. همانطور که می‌دانیم به‌کار گیری تعداد زیادی سیگنال درصد خطای کار را افزایش می‌دهد و این اصلا مطلوب نیست. پس از این انکدرها فقط در مواردی که مطلق بودن مکان‌ها برای ما خیلی مهم است و مشکلی هم از احاظ بار فابل تحمل ربات متوجه ما نباشد، استفاده می‌شود.

ii.انکدرهای افزاینده: این کدگشا ها دارای قطار پالس و یک پالس مرجع که برای کالیبره کردن بکار می‌رود هستند، از روی شمارش قطارهای پالس نسبت به نقطه مرجع به موقعیت مورد نظر دست می‌یابند. از روی فرکانس (عرض پالس‌ها) می‌توان به سرعت چرخش و از روی محاسبه تغییرات فرکانس در واحد زمان (تغییرات عرض پالس) به شتاب حرکت دوارنی پی برد. حتی می‌توان جهت چرخش را نیز فهمید. فرض کنید سیگنال‌های A و B و C سه سیگنالی باشند که از کدگشا به کنترل‌کننده ارسال می‌شود. B سیگنالی است که با یک چهارم پریود تاخیر نسبت به A. از روی اختلاف فاز بین این دو می‌توان به جهت چرخش پی برد.


سنسور مادن قرمز بدون حساسيت به نور محيط

این یک سنسور مادون قرمز که نسبت به نور روز حساسیت نداره و با استفاده از یک PLL کار می کنه!

و اما چه جوری کار می کنه این از یه IC استفاده میکنه که دارای یه اوسیلاتور که روی فرکانس KHz 4.5 تنظیم شده این فرکانس توسط یه فرستنده مادون قرمز فرستاده می شه و توسط گیرنده مربوطه گرفته شده و ولتاژ DC اون حذف می شه (که معمولا این ولتاژ متناسب با نور های محیطه) بعد توسط یه Phase Detector با فاز فرستنده مقایسه می شه و اگر برابر بود خروجی صفر می شه وجود یک PLL در مدار باعث می شه که حساسیت مدار به نور های پراکنده جلوگیری می کنه البته برای تنظیم حساسیت می تونین از پتانسیومتر مدار استفاده کنین

از این مدار می تونین هم برای تشخیص وجود یک مانع استفاده کنین و هم برای تشخیص رنگ سیاه از سفید. فرستنده و گیرنده مدار رو می تونین رو بروی هم قرار بدین که با این کار اگر مانعی در بین این دو باشه تشخیص داد می شه و هم می تونین هر دو رو کنار هم قرار بدین البته باید مراقب باشین که نور فرستنده در این حالت مستقیم به گیرنده نرسه و فقط انعکاس اون رو گیرنده در یافت کنه با این کار اگه مانعی رو نزدیک این دو قرار بدین تشخیص داده می شه این فاصله حدود 2 cm که بستگی به رنگ جسم و جنس فرستنده و گیرنده دارد البته می توان آن را با پتانسیومتر مدار کمتر کرد با همین روش می تونین رنگ سیاه رو از سفید تشخیص بدین البته تنظیم پتانسیومتر یادتون نره

حسن این مدار اینه که با کم و زیاد شدن نور تنظیماتتون بهم نمی خوره دیگه بعداز یک ساعت تنظیم بعد که وارد محیط مسابقه شدین که نور دیگه ای داره همه چیز بهم نمی خوره .

 حسگرهای مافوق صوت

 یكی از مسائل مطرح در رباتیك ایجاد درك نسبت به محیط خارجی برای جلوگیری از برخورد نامطلوب به اشیاء موجود در محیط حركت است.

از سوی دیگر ممكن است نیاز داشته باشیم كه ربات بتواند دركی از فاصله ها بدون تماس فیزیكی داشته باشد. برای این منظور از سنسورهای مافوق صوت یا Ultrasonic استفاده می كنند.فركانسهای این محدوده را می توان بین 40 كیلو هرتز تا چندین مگا هرتز در نظر گرفت.امواجی با این فركانسها كاربردهایی چون سنجش میزان فاصله،سنجش میزان عمق یك مخزن و ....را دارند.

جهت استفاده از این امواج یك سری سنسورهای مخصوص طراحی شده كه می توان این سنسورها را به دو دسته صنعتی و غیر صنعتی تقسیم بندی كرد.سنسورهای غیر صنعتی در فركانسهایی در حدود 40 كیلو هرتز كار می كنند و در بازار با قیمتهای پایین در دسترس هستند. در این سنسورها دقت كار بالا نبوده و فقط در حد تشخیص یك فاصله یا عمق یك مایع می توان از آنها استفاده كرد.اما بلعکس در سنسورهای صنعتی كه در فركانسهای در حد مگا هرتز كار می كنند و به دلیل همین فركانس بالا ما دقت زیادی را خواهیم داشت

مكانیزم كلی كار این سنسورها ، فرستادن یك بیم و دریافت انعكاس آن و متعاقبا محاسبه زمان رفت و برگشت است. بدین ترتیب می توان فواصل را نیز براحتی با در نظر گرفتن سرعت صوت در دما و فشار محیط ، محاسبه كرد به همین دلیل این سنسور به صورت دو pack مجزای گیرنده و فرستنده موجود می باشد.


 

 

نگاهی سریع به سنسورهای رایج 

SHT11سنسور رطوبت با خروجی دیجیتال

SHT75 سنسور رطوبت با خروجی دیجیتال

Rhu-207 سنسور رطوبت با خروجی مقاومتی

HS1101 سنسور رطوبت با خروجی خازنی

3610 سنسور رطوبت با خروجی ولتاژ dc

Smt160 سنسور دما با خروجی دیجیتال

LM35سنسور دما با خروجی آنالوگ

Gs209 سنسور تشخیص فلزات

Tgs4161 سنسور تشخیص دی اکسید کربن

MQ-4 سنسور گاز متان

Ss1118سنسور اکسیژن 

Ke-25سنسور اکسیژن

GR500 سنسور وزن 

MQ-9 سنسور گاز مونوکسید کربن

MQ-2 سنسور تشخیص دود

MQ-5 سنسور گاز

Pir –dz035 سنسور تشخیص انسان

L298 درایور

Uln2003 درایور

Msk4225 درایور 

27xx حافظه prom

28xx حافظه eeprom

Cmps03 قطب نما 

Tsl2550t سنسور تجزیه نور

Gp2s04 سنسور تشخیس سیاه و سفید

Tsl230 تشخیص رنگ

LHI648 سنسور حرارتی حساس به بدن

O2A سنسور رطوبت و دما در یك پك خروجی دیجیتال

S2H سنسور رطوبت مقاومتی

HAS 400-S سنسور اندازه گیری جریان

LHI 944سنسورتشخیص حركت (انسان و حیوان )

 

سنسور های اثر انگشت

تصدیق اثر انگشت به روش اتوماتیک مقایسه بین اثرانگشتهای مختلف اطلاق می شود. شناسایی با اثر انگشت یکی از روشهای بایومتریک Biometric شناسایی افراد است. بنابه تقاضای یکی از دوستان خواننده ، در این پست بطور خلاصه درباره ی این حسگرها مطالبی را ارائه می کنم.

یک حسگر اثرانگشت قطعه ای الکترونیکی است که تصویری دیجیتالی را از اثر انگشت می گیرد. این تصویر گرفته شده "مرور زنده" یا Live Scan نامیده می شود. این تصویر سپس بطور دیجیتالی پردازش می شود تا یک الگوی بایومتریک را برای ذخیره و انطباق آتی ایجاد نماید.

معروفترین حسگرهای اثر انگشت ، حسگرهای نوری (مرئی) – که شبیه یک دوربین فیلم برداری عمل می کنند–،آلتراسونیک – که بر پایه آلتراسونوگرافی پزشکی کار میکنند – و خازنی (پسیو و اکتیو) هستند.

برای تطبیق تصویر گرفته شده با تصاویر موجود در حافظه از الگوریتمهای انطباقی نظیر PBAیا IBA (بترتیب یعنی الگوریتم بر مبنای الگوی اثرانگشت Pattern-Based-Algorithm والگوریتم بر مبنای تصویر انگشتImage-Based-Algorithm ) و الگوریتم پیچیده تری بنام MBA الگوریتم اجزای ناچیزیا Minutia-Based-Algorithm استفاده میشود.

در الگوریتم PBA طرح اثرانگشت شامل خم، پیچش و حلقه با نمونه های حافظه مقایسه میشود. برای این منظورباید تصاویر در یک جهت معین قرار گیرند که الگوریتم نقطه مرکزی را در تصویر اثر انگشت یافته و آنرا با اثر انگشت ورودی هم مرکز میکند. هر الگو در این الگوریتم شامل نوع، اندازه و جهت طرحواره های تصویر تراز شده اثر انگشت است.

در الگوریتم MBA چندین قسمت مختلف از اجزای اثرانگشت موجود در حافظه نظیر لبه های انتهایی هر خط موجود در اثر انگشت، انشعابات در خطوط و شیارهای کوتاه بین خطوط با اثر انگشت ورودی مقایسه می شوند. این روش همچنین مانند روش قبلی نیاز به تصویری تراز شده از اثر انگشت دارد. تفاوت در این روش این است که بجای انطباق مراکز از یک قاب مرجع Reference Frame استفاده میشود. هر نقطه اجزای اثرانگشت در این الگوریتم بصورت یک بردار در طرحواره اثرانگشت ذخیره می شود.

کمپانی های لیدر در سنسورهای اثر انگشت فوجیتسو Fujitsu آوتن Authen و اتمل Atmel هستند. یک سنسور اثرانگشت MBF200 فوجیتسو شامل یک سنسور 500 دی پی آی )Dot Per Inches( هشت بیتی خازنی است. این مجموعه بصورت دوبعدی شامل 256 ردیف 300 پیکسلی است که بصورت تکنولوژی CMOS استاندارد ساخته شده اند. کل سطح سنسور ابعادی بطول 15 و عرض 12.8 میلیمتر را شامل میشود. هر پیکسل از یک الکترود فلزی ساخته شده که بصورت یک صفحه خازن عمل میکند. تماس انگشت با سطح سنسور صفحه دوم خازن را ایجاد میکند. لایه پسیویشن Passivation Layer روی سطح قطعه ، لایه دی الکتریکی بین انگشت و پیکسلها می سازد و محل سایش انگشت و مقاومت شیمیایی را بوجود می آورد. تصویر اثرانگشت با محاسبه ظرفیت خازنی هر پیکسل وتبدیل دیتا به یک تصویر 8 بیتی سیاه و سفید ایجاد می گردد. شکل زیر بلوک دیاگرام این سنسور را نشان می دهد. برای مشاهده ی بهتر تصویر آنرا Save کنید.قلب و هسته ی اصلی یک سیستم تشخیص اثر انگشت بخش پردازش سیگنال دیجیتال است که بر مبنای الگوریتمهای مختلف اثر انگشت موجود را با مدلهایی که در حافظه دارد مطابقت می دهد. شکل زیر بلوک دیاگرام کلی یک سیستم شناسایی اثر انگشت را نشان می ده]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/16</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 14:28:42 PM GTM+0430</pubDate>

<title>ديود چيست ؟ گزارش در رابطه با كار كرد اصلي ديود ها@</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/15</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11:
مقدمه 

دیودها جریان الکتریکی  را در یک جهت از خود عبور می‌‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت می‌‌باشد. 
ولتاژ معکوس 

هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود. 
دسته بندی دیودها 

در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده می‌‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود. 
اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode) 

محققان فیزیک دانشگاه اوهایو (Ohio State University) توانستند دیود تونل پلیمری اختراع کنند. این قطعه الکترونیکی منجر به ساخت نسل آینده حافظه‌های پلاستیکی کامپیوتری و چیپهای مدارات منطقی خواهد شد. این قطعات کم مصرف و انعطاف پذیر خواهند بود. ایده اصلی از سال 2003 که یک دانشجوی کارشناسی دانشگاه اوهایو ، سیتا اسار ، شروع به طراحی سلول خورشیدی پلاستیکی نمود بوجود آمد. تیم پژوهشی توسط پاول برگر (Paul Berger) ، پروفسور الکترونیک و مهندسی کامپیوتر و همچنین پروفسور فیزیک دانشگاه اوهایو رهبری می‌شود

· دیود چیست ؟ از اتصال دولایه p & n دیود درست می شود

1- بعد از پیوند نیمه هادی نوع p & n کنار یکدیگر ، الکترونهای آزاد و حفره ها از محل پیوند عبور کرده ، با هم ترکیب می شوند و تشکیل یک لایه سد یا عایق می دهند . 

2-یک منطقه تخلیه در محل پیوند ها ایجاد می شود که فاقد الکترونهای آزاد و حفره ها می باشد ، لکن اتمهایی که الکترون از دست داده و یا گرفته اند ، در دو طرف لایه سد و در منطقه تخلیه وجود دارند

-3 اتمهای یونیزه شده ، ایجاد سد پتانسیل می کنند که برای نیمه هادی ژرمانیومی حدود ۰.۲ ولت است و برای نیمه هادی سیلسیمی حدود ۰.۶ ولت است . 

4- سد پتانسیل باعث که از حرکت و ترکیب بیشتر الکترونها و حفره ها در لایه سد جلوگیری به عمل آید . 

5- کریستال نیمه هادی نوع p دارای بار الکتریکی مثبت و کریستال نیمه هادی n دارای بار الکتریکی منفی می باشد . 

· بایاس دیود

وصل کردن ولتاژ به دیود را بایاس کردن دیود می گویند . 

1-بایاس مستقیم

اگرنیمه هادی نوع p به قطب مثبت باتری و نیمه هادی نوع n به قطب منفی آن وصل شود و ولتاژ از پتانسیل سد دیود بیشترباشد ، در مدار جریان بر قرار خواهد شد . 

2-بایاس معکوس

اگر قطب مثبت باتری به نیمه هادی نوع n وصل شود و قطب منفی باتری به نیمه هادی نوع p وصل شود ، جریانی در مدار نخواهیم داشت . 

· تست دیود

همانطور که گفته شد اگر دوید در بایاس موافق یا معکوس قرار بگیرد جریان را از خود عبور می دهد و ما می توانیم دیود را با یک مدار ساده سری کنیم ( البته با رعایت قطبهای دیود و باتری ) اگر مدار شروع به کار کرد پس دیود سالم است و در غیر این صورت دیود سوخته شده است . 

· انواع دیود ها

1- دیود اتصال نقطه ای

2- دیود زنر

3-دیود نور دهنده LED

4- دیود خازنی ( واراکتور ) 

5- فتو دیود

· دیود اتصال نقطه ای

دیود های معمولی در بایاس معکوس ایجاد ظرفیت خازنی ( حدود PF ) می کنند . اگر بخواهیم در فرکانس های بالا به کار می بریم ، به علت ظرفیت خازنی در بایاس معکوس ، جریان در مدار عبور می کند . چون در فرکانس های بالا مقاومت دیود کم می شود . برای جلوگیری از این کار از دیود اتصال نقطه ای استفاده می کنیم 

· دیود نوردهنده LED

این دوید از دو نوع نیمه هادی P & N تشکیل شده است . هر گاه این دیود ، در بایاس مستقیم ولتاژی قرار گیرد و شدت جریان به اندازه کافی باشد ، دیود ، از خود نور تولید می کند . نور تولید شده در محل اتصال دو نیمه هادی تشکیل می شود . نور تولیدی بستگی به جنس به کار برده شده در نیمه هادی دارد . این لامپ چند مزایا بر لامپ های معمولی دارد که عبارتند از : 

1- کوچک بودن و نیاز به فضای کم 

2- محکم بودن و داشتن عمر طولانی ( حدود صد هزار ساعت کار )

3- قطع و وصل سریع نور

4- تلفات حرارتی کم

5- ولتاژ کار کم ، بین ۱.۷ ولت تا 3.3 ولت

6- جریان کم حدود چند میلی آمپر با نور قابل رویت

7- توان کم ، حدود ۱۰ تا ۱۵۰ میلی وات

 

· دیود خازنی ( واراکتور )

این دیود از دو نیمه هادی نوع P & N تشکیل می شود . دیود خازنی در واقع دیودی است که به جای خازن بکار می رود و مقدار ظرفیت آن با ولتاژ دو سر آن رابطه عکس دارد 

· فتو دیود

این دیود از دو نیمه هادی نوع P & N تشکیل می شود . با این تفاوت که محل پیوند P & N ، جهت تابانیدن نور به آن از مواد پلاستیکی سیاه پوشیده نمی باشد ، بلکه توسط شیشه و یا پلاستیک شفاف پوشیده می گردد تا نور بتواند با آسانی به آن بتابد . روی اکتر فتو دیود ها یک لنز بسیار کوچک نصب می شود تا بتواند نور تابانیده شده به آن را متمرکز کرده و به محل پیوند برساند . 
دیود واراکتور

در الکترونيک کي از انواع ديودهايي که با ظرفيت خازني متغير ، ديود واراکتور (ديود واريکاپ) يا ديود تنظيمي است . مقدار اين ظرفيت خازني تابعي است از ولتاژي که به پايه های دیود مي دهيم .

بطور معمول ديود واراکتور در آمپلي فايرهاي پارامتري ،   اسیلاتور های پارامتري و اسيلاتور کنترل شده با ولتاژ ( يکي از اجزا اساسي  حلقه قفل شده فاز و سینتی فاز ها ي فرکانس است . ولي عمده ترين کاربرد آن درخازن  کنترل شده با ولتاژ است . در بعضي موارد هم از اين ديود مي توان به عنوان يکسوسازي استفاده کرد .

· دیود پیوندی 

از پیوند دو نوع نیم رسانای n و p یک قطعه الکترونیکی به نام دیود بوجود می‌آید که در انواع مختلفی در سیستمهای مخابرات نوری ، نمایشگرهای دیجیتالی ، باتری‌های خورشیدی و ... مورد استفاده قرار می‌گیرد. 
دیود یک قطعه ‌الکترونیکی است که ‌از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ، سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته می‌شود. چون دیود یک قطعه دو پایانه ‌است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانه‌هایش سه حالت را پیش می‌آورد.دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که ‌الکترونها را در ماده n و حفره‌ها را در ماده p تحت فشار قرار می‌دهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود). تغذیه یا بایاس معکوس که ولتاژ دو سر دیود کوچکتر از صفر است، یعنی ولتاژ به دو سر دیود طوری وصل می‌شود که قطب مثبت آن به ماده n و قطب منفی آن به ماده p وصل گردد و به علت کشیده شدن یونها به کناره عرض ناحیه تهی افزایش می‌یابد (گرایش معکوس دیود). 

· مشخصه دیود در گرایش مستقیم 

فرض کنید توسط مداری بتوانیم ولتاژ دو سر یک دیود را تغییر دهیم و توسط ولتمتر و آمپرمتر ولتاژ و جریان دیود را در هر لحظه اندازه گیری کرده ،بر روی محورهای مختصات رسم نماییم.جریان I در جهتی است که دیود قادر به عبور آن است .به همین علت اصطلاحاَ گفته می شود دیود در گرایش مستقیم یا بایاس مستقیم است . در هر حال اگر توسط پتانسیومتر ولتاژ دو سر دیود را از صفر افزایش دهیم ،مشاهده می شود تا ولتاژ به خصوصی ، جریان قابل ملاحظه ای از دیود عبور نمی کند.به این ولتاژ زانو می گویند ،این ولتاژبرای دیودهای از جنس ژرمانیم 2/0 ولت و برای دیودهای سیلیسیم 7/0 ولت است .تا ولتاژ زانو اگرچه دیود در جهت مستقیم است ، اما هنوز دیود روشن نشده است .از این ولتاژ به بعد ، به طور ناگهان جریان در مدار افزایش یافته و هرچه ولتاژ دیود را افزایش دهیم ، جریان دیود افزایش می یابد . 

· مشخصه دیود در گرایش معکوس 

هرگاه جهت دیود را تغییر داده یعنی برعکس حالت گرایش مستقیم ، در جهت بایاس معکوس جریان مدار خیلی کم بوده و همچنین با افزایش ولتاژ معکوس دو سر دیود جریان چندان تغییر نمی کند به همین علت به آن جریان اشباع دیود گویند که این جریان حاصل حاملهای اقلیت می باشد . حدود مقدار این جریان برای دیودهای سیلیسیم ،نانو آمپر و برای دیودهای ژرمانیم حدود میکرو آمپر است. ارگ ولتاژ معکوس دیود را همچنان افزایش دهیم به ازاء ولتاژی ، جریان دیود به شدت افزایش می یابد . ولتاژ مزبور را ولتاژ شکست دیود می نامند و آنرا با VB نشان می دهند . دیودهای معمولی ،اگر در ناحیه شکست وارد شوند از بین می روند .(اصطلاحاَ می سوزند). 
بنابر این ولتاژ شکست دیود یکی از مقادیر مجاز دیود است که توسط سازنده معین می گردد و استفاده کننده از دیود باید دقت نماید تا ولتاژ معکوس دیود به این مقدار نرسد. 

البته در حالت مستقیم نیز جریان دیود اگر از حدی تجاوز نماید به علت محدودیت توان دیودباعث از بین رفتن دیود می گردد.این مقدار نیز یکی از مقادیر مجاز دیود است و به آن جریان مجاز دیود گفته می شود و توسط سازنده دیود معین می گردد.


· دیود متغییر

وقتی که دیودی در بایاس معکوس قرار می‌گیرد، با افزایش ولتاژ معکوس لایه تهی تقریبا فاقد حاملهای بار الکتریکی است، شبیه به یک عایق یا دی‌الکتریک عمل می‌کند. از سوی دیگر نواحی n و p شبیه به رسانای خوب عمل می‌کنند. با یک تجسم ساده می‌توان نواحی p و n را در دو طرف لایه تهی مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت. از این جهت ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت خازن انتقال یا ظرفیت لایه تهی گویند. ظرفیت خازن انتقال (Ct) هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیوم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغیر یا ورکتور نام دارند. 


ساخت دیود متغیر 

در دیود متغیر ، رابطه ظرفیت دیود با پتانسیل گرایش معکوس به صورت است، که اگر پیوند خطی باشد، است. ولی اگر پیوند تیز باشد، است. پس حساسیت ولتاژ برای یک پیوند تیز بیشتر از پیوند شیبدار خطی است. به این دلیل ورکتور غالبا با روشهای آلیاژی یا رشد رونشستی و یا کاشت یونی ساخته می‌شوند.
مشخصات لایه رونشستی و ناخالصی بستر را می‌توان طوری انتخاب کرد که پیوندهای با نمای n بزرگتر از بدست آید. چنین پیوندهایی فوق تیز نامیده می‌شوند. ورکتور موازی با یک القاگر تشکیل یک مدار تشدید می‌دهد. با تغییر ولتاژ معکوس ورکتور می‌توانیم فرکانس تشدید را تغییر بدهیم. این کنترل الکترونیکی فرکانس تشدید در موارد مختلف مدارهای الکترونیکی کاربرد فراوان دارد. 

کاربرد دیود متغیر 

دیود متغیر یا ورکتور به شکل متداولتری برای بهره‌گیری ویژگی‌های ولتاژ متغیر ظرفیت بکار می‌رود. مثلا یک ورکتور با مجموعه‌ای از ورکتورها را می‌توان در طبقه تنظیم ، که گیرنده رادیویی به جای خازن حجیم صفحه متغیر ظرفیت مورد استفاده قرار داد. در این صورت اندازه مدار می‌تواند بسیار کوچک شده قابلیت اطمینان آن بهتر شود. از دیگر کاربردهای ورکتورها می‌توان به تولید رمونی‌ها ، ضرب فرکانس‌های مایکرویو ، فیلتر‌های فعال اشاره کرد.

· ديود زنر

ديود هاي زنر يا شكست ، ديود هاي نيمه هادي با پيوند p-n هستند كه در ناحيه باياس معكوس كار كرده و داراي كاربردهاي زيادي در الكترونيك ، مخصوصآ به عنوان ولتاژ مبنا و يا تثبيت كننده ي ولتاژ دارند.
هنگاميكه پتانسيل الكتريكي دو سر ديود را در جهت معكوس افزايش دهيم در ولتاژ خاصي پديده شكست اتفاق مي افتد، بد ين معني كه با افزايش بيشتر ولتاژ ، جريان بطور سريع و ناگهاني افزايش خواهد داشت. ديود هاي زنر يا شكست ديود هايي هستند كه در اين ناحيه يعني ناحيه شكست كار ميكنند و ظرفيت حرارتي آنها طوري است كه قادر به تحمل محدود جريانمعيني در حالت شكست مي باشند، براي توجيه فيزيكي پديده شكست دو نوع مكانيسم وجود دارد.مكانيسم اول در ولتاژهاي كمتر از 6 ولت براي ديودهايي كه غلظت حامل ها در آن زياد است اتفاق مي افتد و به پديده شكست زنر مشهور است. در اين نوع ديود ها به علت زياد بودن غلظت ناخالصي ها در دو قسمت p و n ، عرض منطقه ي بار فضاي پيوند باريك بوده و در نتيجه با قرار دادن يك اختلاف پتانسيل v بر روي ديود (پتانسيل معكوس) ، ميدان الكتريكي زيادي در منطقه ي پيوند ايجاد مي شود.
با افزايش پتانسيل v به حدي مي رسيمكه نيروي حاصل از ميدان الكتريكي ، يكي از پيوند هاي كووالانسي را مي شكند. با افزايش بيشتر پتانسيل دو سر ديود از انجايي كه انرژي يا نيروهاي پيوند كووالانسي باند ظرفيت در كريستال نيمه هادي تقريبأ مساوي صفر است ، پتانسيل تغيير چنداني نكرده ، بلكه تعداد بيشتري از پيوندهاي ظرفيتي شكسته شده و جريان ديود افزايش مي يابد.آزمايش نشان ميدهد كه ضريب حرارتي ولتاژ شكست براي اين نوع ديود منفي است ، يعني با افزايش درجه حرارت ولتاژ شكست كاهش مي يا بد. بنابر اين ديود با ولتاژ كمتري به حالت شكست مي رود (انرژي باند غدغن براي سيليكن و ژرمانيم در درجه حرارت صفر مطلق بترتيب 1.21 و0.785 الكترون_ولت است، و در درجه حرارت 300 درجه كلوين اين انرژي براي سيليكن ev 1.1و براي ژرمانيم ev0.72 خواهد بود). ثابت مي شود كه مي دان الكتريكي لازم براي ايجاد پديده زنر در حدود 2*10است.
اين مقدار براي ديود هايي كه در آنها غلظت حامل ها خيلي زياد است در ولتاژهاي كمتر از 6 ولت ايجاد مي شود . براي ديودهايي كه داراي غلظت حاملهاي كمتري هستند ولتاژ شكست زنر بالاتر بوده و پديده ي ديگري بنام شكست بهمني در آنها اتفاق مي افتد (قبل از شكست زنر) كه ذيلأ به بررسي آن مي پردازيم. مكانيسم ديگري كه براي پديده شكست ذكر مي شود ، مكانيسم شكست بهمني است. اين مكانيسم در مورد ديودهايي كه ولتاژ شكست آنها بيشتر از 6 ولت است صادق مي باشد . در اين ديود ها به علت كم بودن غلظت ناخالصي ، عرض منطقه ي بار فضا زياد بوده و ميدان الكتريكي كافي براي شكستن پيوندهاي كووالانسي بوجود نمي آيد ، بلكه حاملهاي اقليتي كه بواسطه انرژي حرارتي آزاد مي شود ، در اثر ميدان الكتريكي شتاب گرفته و انرژي جنبشي كافي بدست آورده و در بار فضا با يون هاي كريستال برخورد كرده و در نتيجه پيوندهاي كووالانسي را مي شكنند . با شكستن هر پيوند حاملهاي ايجاد شده كه خود باعث شكستن پيوند هاي بيشتر مي شوند . بدين ترتيب پيوندها بطور تصاعدي يا زنجيري و يا بصورت پديده ي بهمني شكسته مي شوند و اين باعث مي شود كه ولتاژ دو سر ديود تقريبأ ثابت مانده و جريان آن افزايش يافته و بواسطه ي مدار خارجي محدود مي شود . چنين ديود هايي داراي ضريب درجه ي حرارتي مثبت هستند . زيرا با افزايش درجه ي حرارت اتمهاي متشكله كريستال به ارتعاش در آورده ، در نتيجه احتمال برخورد حاملهاي اقليت با يونها ، بهنگام عبور از منطقه بار فضا زيادتر مي گردد. 

وقتی که دیودی در بایاس معکوس قرار می‌گیرد، با افزایش ولتاژ معکوس لایه تهی تقریبا فاقد حاملهای بار الکتریکی است، شبیه به یک عایق  یا دی‌الکتریک عمل می‌کند. از سوی دیگر نواحی n و p شبیه به رسانای خوب عمل می‌کنند. با یک تجسم ساده می‌توان نواحی p و n را در دو طرف لایه تهی مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت. از این جهت ظرفیت این خازن تخت موازی را  ظرفیت خازن انتقال  یا ظرفیت لایه تهی گویند. ظرفیت خازن انتقال (Ct) هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیوم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغیر یا ورکتور نام دارند. 

کاربرد دیود متغیر 

دیود متغیر یا ورکتور به شکل متداولتری برای بهره‌گیری ویژگی‌های ولتاژ متغیر ظرفیت بکار می‌رود. مثلا یک ورکتور با مجموعه‌ای از ورکتورها را می‌توان در طبقه تنظیم ، که گیرنده رادیویی به جای خازن حجیم صفحه متغیر ظرفیت مورد استفاده قرار داد. در این صورت اندازه مدار می‌تواند بسیار کوچک شده قابلیت اطمینان آن بهتر شود. از دیگر کاربردهای ورکتورها می‌توان به تولید رمونی‌ها ، ضرب فرکانس‌های مایکرویو ، فیلتر‌های فعال اشاره کرد. 
مشخصه دیود

وقتی که دیودی در بایاس معکوس قرار می‌گیرد، با افزایش ولتاژ معکوس لایه تهی تقریبا فاقد حاملهای بار الکتریکی است، شبیه به یک عایق  یا دی‌الکتریک عمل می‌کند. از سوی دیگر نواحی n و p شبیه به رسانای خوب عمل می‌کنند. با یک تجسم ساده می‌توان نواحی p و n را در دو طرف لایه تهی مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت. از این جهت ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت   خازن انتقال  یا ظرفیت لایه تهی گویند. ظرفیت خازن انتقال (Ct) هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیوم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغیر یا ورکتور نام دارند. 

 
انواع دیودهای پیوندی
دیود های نور گسل 

در دیودی که بایاس مستقیم دارد، الکترونهای نوار رسانش از پیوندگاه عبور کرده و به داخل حفره‌ها می‌افتند. این الکترونها به هنگام صعود به نوار رسانش انرژی دریافت کرده بودند که به هنگام برگشت به نوار ظرفیت انرژی دریافتی را مجددا تابش می‌کنند. در دیودهای یکسوساز این انرژی به صورت گرما پس داده می‌شود، ولی دیودهای نور گسل LED این انرژی را به صورت فوتون  تابش می‌کنند. 
فوتودیودها 

انرژی گرمایی باعث تولید حامل‌های اقلیتی‌ در دیود می‌گردد. با افزایش دما جریان دیود در بایس معکوس افزایش می‌یابد. انرژی نوری هم همانند انرژی گرمایی باعث بوجود آمدن حاملهای اقلیتی ‌می‌گردد. کارخانه‌های سازنده با تعبیه روزنه‌ای کوچک برای تابش نور  به پیوندگاه دیودهایی را می‌سازند که فوتودیود نامیده می‌شوند. وقتی نور خارجی به پیوندگاه یک فوتودیود که بایس مستقیم دارد فرود آید، زوجهای الکترون _ حفره در داخل لایه تهی بوجود می‌آیند. هرچه نور شدیدتر باشد، مقدار حاملهای اقلیتی ‌نوری افزایش یافته، در نتیجه جریان معکوس بزرگتر می‌شود. به ‌این دلیل فوتودیودها را آشکارسازهای نوری گویند. 
وراکتور 

نواحی p و n در دو طرف لایه تهی را می‌توان مانند یک خازن تخت موازی در نظر گرفت، ظرفیت این خازن تخت موازی را ظرفیت خازن انتقال یا ظرفیت پیوندگاه گویند. ظرفیت خازن انتقال CT هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلسیم که برای این اثر ظرفیتی طراحی و بهینه شده‌اند، دیود با ظرفیت متغییر یا وارکتور نام دارند. وراکتور موازی با یک القاگر  تشکیل یک مدار تشدید را می‌دهد که با تغییر ولتاژ معکوس وراکتور می‌توانیم فرکانس تشدید را تغییر بدهیم. 
دیودهای شاتکی 

دیود شاتکی یک وسیله تک‌قطبی است که در آن به جای استفاده ‌از دو نوع نیمه ‌هادی p و n متصل به هم ، معمولا از یک نوع نیم ‌هادی سیلیسیم نوع n با یک اتصال فلزی مانند طلا – نقره یا پلاتین  استفاده می‌شود. در هر دو ماده ‌الکترون حامل اکثریت را تشکیل می‌دهد. وقتی که دو ماده به هم متصل می‌شوند، الکترونها در ماده سیلیسیم نوع n فورا به داخل فلز نفوذ می‌کنند و یک جریان سنگینی از بارهای اکثریت بوجود می‌آید. دیود شاتکی لایه تهی ذخیره بار ندارد. کاربرد این دیود در فرکانس‌های خیلی بالاست. 

کاربردها 

قطعات پیوندی p - n در صنعت الکترونیک از اهمیت ویژه‌ای برخوردارند. به عنوان مثال   دیود های نور افشان  LED در نمایشگرهای دیجیتالی و گسیلنده‌های نور قرمز GaAs و InP بویژه برای سیستمهای مخابرات نوری مناسب هستند. آرایش لیزر نیم رسانا  ، آشکارساز نوری را می‌توان در سیستم دیسک فشرده برای خواندن اطلاعات دیجیتال از دیسک چرخان مورد استفاده قرار داد.کاربرد بسیار مهم پیوندها به عنوان باری های خورشیدی  است که ‌انرژی نوری جذب شده را به انرژی ‌الکتریکی مفید تبدیل می‌کنند. دیودهای با ظرفیت متغیر در تولید رمونی‌ها ، مخرب فرکانس‌های مایکروویو و فیلترهای فعال است. دیودهای زنر به عنوان مرجع در مدارهایی که نیازمند مقدار معینی از ولتاژ هستند، استفاده می‌شوند.
· دیود تونلی

دیود تونلی یک قطعه پیوندی p-n است که بر اساس تونل زنی مکانیک کوانتومی الکترونها از درون سد پتانسیل پیوند عمل می‌کند. چگونگی تونل زنی برای جریان معکوس در اصل اثر زنر است، هر چند مقدار اندکی گرایش معکوس برای شروع آن در دیودهای تونلی لازم است. 
دیود تونلی تحت گرایش معکوس 

تحت یک گرایش معکوس این امکان فراهم می‌شود که  الکترونها از حالت پر نوار ظرفیت در زیر Eft به حالتهای خالی نوار هدایت در بالای Efn تونل بزنند. این شرایط مشابه اثر زنری است، با این تفاوت که هیچگونه گرایشی برای ایجاد حالت همپوشانی نوارها لازم نیست. با ادامه افزایش گرایش معکوس Efn به پایین آمدن خود در مقیاس انرژی نسبت به Efp ادامه داده و حالتهای پر بیشتری را از طرف p مقابل حالتهای خالی طرف n قرار می‌دهد. در نتیجه تونل زنی الکترونها از P به n با افزایش گرایش معکوس زیاد می‌شود. 
دیود تونلی تحت گرایش مستقیم 

وقتی یک گرایش مستقیم اعمال شود، Efn نسبت به Efp به اندازه qv در مقیاس انرژی افزایش می‌یابد. در نتیجه الکترونها زیر Efn در طرف n در مقابل وضعیتهای خالی بالای Efp در طرف P قرار می‌گیرند. این جریان مستقیم با افزایش گرایش مادامی که حالتهای پر بیشتری در مقابل حالتهای خالی قرار می‌گیرند، افزایش می‌یابد. 

مقاومت فعال 

در دیودهای تونلی با گرایش مستقیم ، هنگامی که Efn به افزایش خود نسبت به Efp ادامه می‌دهد، به نقطه‌ای می‌رسیم که در آن نوارها از مقابل هم می‌گذرند. در این حالت تعداد حالتهای پر در مقابل حالتهای خالی کاهش می‌یابد. این ناحیه از این جهت اهمیت دارد که کاهش جریان تونل زنی با افزایش گرایش ناحیه‌ای با شیب منفی تولید می‌کند. مقاومت فعال (دینامیک) dv/dt منفی است. این ناحیه با مقاومت منفی در بسیاری از کاربردها مفید است. اگر گرایش مستقیم بعد از ناحیه با مقاومت منفی افزایش یابد، جریان دوباره شروع به افزایش می‌کند. 

کاربردهای مداری 

مقاومت منفی دیود تونل را می‌توان برای کلید زنی ، نوسان ، تقویت و سایر عملیات مداری مورد استفاده قرار داد. این حوزه وسیع کاربردی همراه با این واقعیت که فرایند تونل زنی تاخیر زمانی رانش و نفوذ را ندارد، دیود تونلی را یک انتخاب طبیعی برای مدارهای بسیار سریع ساخته است.
باتریهای خورشیدی 

امروزه برای تأمین توان الکتریکی مورد نیاز بسیاری از ماهواره‌های فضایی از آرایه‌های باتری خورشیدی از نوع پیوندی p-n استفاده می‌شود. باتریهای خورشیدی می‌توانند توان مورد نیاز تجهیزات داخل یک ماهواره را در مدت زمان طولانی فراهم سازند. آرایه‌های پیوندی را می‌توان در سطح ماهواره توزیع و یا اینکه در باله‌های باتری خورشیدی متصل به بدنه ‌اصلی ماهواره جا داد. برای بهره گیری از بیشترین مقدار انرژی نوری موجود ، لازم است که باتری خورشیدی دارای پیوندی با سطح مقطع بزرگ و در نزدیکی سطح قطعه باشد. پیوند سطحی توسط نفوذ یا کاشت یون تشکیل شده و برای جلوگیری از انعکاس و نیز کاهش بازترکیب ، سطح آن با مواد مناسب پوشیده می‌شود. 
آشکارسازهای نوری 

یک چنین قطعه‌ای برای اندازه گیری سطوح روشنایی یا تبدیل سیگنالهای نوری متغیر با زمان به سیگنالهای الکتریکی وسیله‌ای مناسب است. در بیشتر آشکارسازهای نوری سرعت پاسخ آشکارساز بسیار مهم است. مرحله نفوذ حاملین بار امری زمان‌بر است و باید در صورت امکان حذف شود. پس مطلوب است که پهنای ناحیه تهی به ‌اندازه کافی بزرگ باشد تا اکثر فوتون‌ها به‌جای نواحی خنثی n و p در درون ناحیه تهی جذب شوند. وقتی که یک EHP در ناحیه تهی بوجود آید،   میدان الکریکی ، الکترون را به طرف n و حفره را به طرف p می‌کشد. چون این رانش حاملین بار در زمان کوتاهی رخ می‌دهد، پاسخ دیود نوری می‌تواند بسیار سریع باشد. هنگامی ‌که حاملین بار عمدتا در ناحیه تهی w ایجاد شوند، به آشکارساز یک دیود نوری لایه تهی گفته می‌شود. اگر w پهن باشد، اکثر فوتونهای تابشی در ناحیه تهی جذب خواهند شد. w پهن منجر به کاهش ظرفیت پیوند شده و در نتیجه ثابت زمانی مدار آشکارساز را کاهش می‌دهد. 
نحوه کنترل پهنای ناحیه تهی 

روش مناسب برای کنترل پهنای ناحیه تهی ساختن یک آشکارساز نوری p-i-n است. ناحیه i مادامی که مقاومت ویژه زیاد است، لزومی ‌ندارد که حقیقتا ذاتی باشد. می‌توان آن را به روش رونشستی روی بستر نوع n رشد داد و ناحیه p را توسط نفوذ ایجاد کرد. هنگامی‌ که ‌این قطعه در گرایش معکوس  قرار می‌گیرد، ولتاژ وارده تقریبا بطور کامل در دو سر ناحیه i ظاهر می‌شود. برای آشکارسازی سیگنالهای نوری ضعیف اغلب مناسب است که دیود نوری در ناحیه شکست بهمنی مشخصه‌اش عمل کند. 
نویز و پهنای باند آشکارسازهای نوری 

در سیستمهای مخابرات نوری حساسیت آشکارسازهای نوری و زمان پاسخ آنها بسیار مهم است. متاسفانه ‌این دو ویژگی عموما با هم بهینه نمی‌شوند. مثلا در یک آشکارساز نوری بهره به نسبت طول عمر حاملین بار به زمان گذار وابسته ‌است. از سوی دیگر پاسخ فرکانسی نسبت عکس با طول عمر حاملین بار دارد. معمولا حاصلضرب بهره در پهنای باند را به عنوان ضریب شایستگی برای آشکارسازها ملاک قرار می‌دهند. طراحی برای افزایش بهره سبب کاهش پهنای باند می‌شود و برعکس ویژگی مهم دیگر آشکارسازها نسبت سیگنال به نویز است که مقدار اطلاعات مفید در مقایسه با نویز در زمینه آشکارساز را نشان می‌دهد. منبع اصلی نویز در نور رساناها نوسانات اتفاقی در جریان تاریک است. جریان نویز در تاریکی متناسب ، دما و رسانایی ماده ‌افزایش می‌یابد. افزایش مقاومت تاریک همچنین بهره نور رسانا را افزایش داده و بالطبع باعث کاهش پهنای باند می‌شود. 
· مشخصه دیود در گرایش معکوس 

هرگاه جهت دیود را تغییر داده یعنی برعکس حالت گرایش مستقیم ، در جهت بایاس معکوس جریان مدار خیلی کم بوده و همچنین با افزایش ولتاژ معکوس دو سر  دیود جریان چندان تغییر نمی کند به همین علت به آن جریان اشباع دیود گویند که این جریان حاصل حاملهای اقلیت می باشد . حدود مقدار این جریان برای دیودهای سیلیسیم ،نانو آمپر و برای دیودهای  ژرمانیوم حدود میکرو آمپر است. ارگ ولتاژ معکوس دیود را همچنان افزایش دهیم به ازاء ولتاژی ، جریان دیود به شدت افزایش می یابد . ولتاژ مزبور را ولتاژ شکست دیود می نامند و آنرا با VB نشان می دهند . دیودهای معمولی ،اگر در ناحیه شکست وارد شوند از بین می روند .(اصطلاحاَ می سوزند( بنابر این ولتاژ  شکست دیود یکی از مقادیر مجاز دیود است که توسط سازنده معین می گردد و استفاده کننده از دیود باید دقت نماید تا ولتاژ معکوس دیود به این مقدار نرسد. البته در حالت مستقیم نیز جریان دیود اگر از حدی تجاوز نماید به علت محدودیت توان دیودباعث از بین رفتن دیود می گردد.این مقدار نیز یکی از مقادیر مجاز دیود است و به آن جریان مجاز دیود گفته می شود و توسط سازنده دیود معین می گردد.
· مشخصه دیود در گرایش مستقیم 

فرض کنید توسط مداری بتوانیم ولتاژ دو سر یک دیود را تغییر دهیم و توسط ولتمتر و آمپرمتر ولتاژ و جریان دیود را در هر لحظه اندازه گیری کرده ،بر روی محورهای مختصات رسم نماییم.جریان I در جهتی است که دیود  قادر به عبور آن است .به همین علت اصطلاحاَ گفته می شود دیود در گرایش مستقیم یا بایاس مستقیم است . در هر حال اگر توسط   پتانسیومتر ولتاژ دو سر دیود را از صفر افزایش دهیم ،مشاهده می شود تا  ولتاژ به خصوصی ، جریان قابل ملاحظه ای از دیود عبور نمی کند.به این ولتاژ زانو می گویند ،این ولتاژبرای دیودهای از جنس ژرمانیوم  2/0 ولت و برای دیودهای سیلیسیم 7/0 ولت است .تا ولتاژ زانو اگرچه دیود در جهت مستقیم است ، اما هنوز دیود روشن نشده است .از این ولتاژ به بعد ، به طور ناگهان جریان در مدار افزایش یافته و هرچه ولتاژ دیود را افزایش دهیم ، جریان دیود افزایش می یابد .]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/15</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-04 14:25:10 PM GTM+0430</pubDate>

<title>فتو ديود چيست؟</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/14</link>
<description>
<![CDATA[:11::11::11::11::11::11::11::11::11::11::11::8::8::8::8::8::8::11::11::11::11::11::11::11::11::11:فتو دیود ( Photo Diode ) : فتو دیود که به آن دیود نوری نیز می گویند مانند دیود معمولی از اتصال دو نیمه هادی نوع N و P ساخته می شود با این تفاوت که محل اتصال نیمه هادی ها ، با مواد پلاستیکی سیاه پوشیده نمی شود بلکه برای اینکه نور به محل اتصال نیمه هادی ها برسد معمولاً آن محل را توسط شیشه و یا مواد پلاستیکی شفاف می پوشانند . روی اکثر فتودیودها یک لنز بسیار کوچک نصب می شود تا نور تابیده شده به آن منطقه را متمرکز کرده و به محل پیوند برساند . در شکل (15) تصویری از یک فتو دیود و در شکل (16) علامت اختصاری آن نمایش داده شده است .
شکل (15)
شکل (16)

فتودیود همیشه در بایاس معکوس به کار می رود و با تابش نور به محل اتصال نیمه های های آن ، پیوندهای کووالانس موجود در ناحیه تخلیه در اثر انرژی نور تابیده شده شکسته شده و جریان معکوس فتودیود افزایش می یابد . هر چه نور تابیده شده به محل اتصال نیمه هادی ها بیشتر باشد مقدار جریان معکوس فتودیود بیشتر می شود و بر عکس ، هر چه نور تابیده شده به محل پیوند کمتر باشد مقدار جریان معکوس فتودیود کمتر می شود . در شکل (17) منحنی مشخصه یک فتو دیود رسم شده است . این منحنی فقط به ازای طول موج ثابت و شدت روشنایی های مختلف رسم شده است . همانطور که در شکل (17) مشاهده می کنید با افزایش شدت روشنایی ، جریان Iλ نیز افزایش پیدا می کند و تقریباً در ولتاژهای مختلف معکوسی که در دو سر آن قرار گرفته است ، در یک نور مشخص ثابت می ماند و مقدار آن فقط بستگی به نور تابیده شده به محل اتصال نیمه هادی ها دارد .
شکل (17)

ولتاژ معکوس این دیودها 20 الی 50 ولت و توان آنها حدود چند صد میلی وات و جریان معکوس آنها در تاریکی حدود چند نانو آمپر است که این همان جریان اشباع معکوس در دیودهای معمولی است . 

دیود خازنی یا دیود واراکتور ( Varactor Diode ) : دیود خازنی مانند یک دیود معمولی است و از دو قطعه نیمه هادی نوع N و P که معمولاً از جنس سیلیسیم هستند ساخته می شود . همانطور که قبلاً گفته شد ، در یک دیود معمولی بایاس نشده یک ناحیه تخلیه ایجاد می شود . اگر نیمه هادی های نوع N و P را به عنوان دو هادی و ناحیه تخلیه را به عنوان عایق بین دو هادی در نظر بگیریم ، مجموعه دیود را می توان به عنوان یک خازن در نظر گرفت . حال اگر دیود را در بایاس معکوس به کار ببریم عرض ناحیه تخلیه بیشتر می شود و عایق بین دو نیمه هادی نیز افزایش می یابد و در نتیجه ظرفیت خازنی آن کمتر می شود . بنابراین می توان با تغییر مقدار ولتاژ معکوس ، ظرفیت خازنی دیود واراکتور را تغییر داد . بنابراین دیود خازنی همیشه در بایاس معکوس قرار می گیرد . در شکل (18) تصویری از یک دیود خازنی و در شکل (19) علامت اختصاری آن نمایش داده شده است .
شکل (18)
شکل (19)

دیود خازنی اندکی با دیود معمولی تفاوت دارد . اولاً جریان اشباع معکوس آن فوق العاده کم است و ثانیاً سطح دو نیمه هادی را طوری انتخاب می کنند که حداکثر ظرفیت خازنی 2.5 نانوفاراد باشد . رایج ترین دیودهای خازنی دارای ظرفیت 300 پیکوفاراد هستند . از این دیودها در مدارات رادیو و تلویزیون به عنوان خازن متغیر استفاده می شود زیرا دارای حجمی بسیار کم ، ظریف و محکم می باشند . در شکل (20) منحنی تقریبی ظرفیت خازنی دیود خازنی نسبت به ولتاژ معکوس دو سر آن نمایش داده شده است .
شکل (20)

همانطور که در این شکل مشاهده می کنید با افزایش ولتاژ معکوس دو سر دیود خازنی ، ظرفیت خازنی آن کاهش می یابد . 

دیود تونلی ( Tunnel Diode ) : دیود تونلی از دو قطعه نیمه هادی نوع N و P که غالباً از جنس ژرمانیوم و گالیم آرسنید می باشند ساخته می شود . میزان ناخالصی نیمه هادی های N و P در دیود تونلی نسبت به دیود معمولی بسیار زیاد است ( حدود چند هزار برابر ) ، که این موضوع خود باعث به وجود آمدن یک ناحیه تخلیه بسیار نازک در محل پیوند می شود که عرض آن حدود 0.01 عرض ناحیه تخلیه در دیودهای معمولی است . ناحیه نازک باعث می شود که حامل های زیادی به جای اینکه در ولتاژهای پایین از آن عبور نمایند از آن تونل بزنند . شکل (21) منحنی مشخصه یک دیود تونلی را نشان می دهد . همانطور که در این شکل مشاهده می کنید با افزایش ولتاژ موافق از صفر تا VP ، بر خلاف دیود معمولی جریان عبوری تا IP افزایش سریع دارد . از VP به بعد با افزایش ولتاژ موافق تا VV جریان کاهش سریع دارد . فاصله ولتاژ پیک تا ولتاژ دره را ناحیه مقاومت منفی می گویند .
شکل (21)

نسبت جریان پیک به جریان دره در کاربردهای این دیود بسیار مهم است . این نسبت برای ژرمانیوم 10 به یک و برای گالیم آرسنید 20 به یک می باشد . جریان پیک در دیود تونلی می تواند بین چند میکروآمپر تا چند صد آمپر متغیر باشد در حالی که ولتاژ دره دو سر دیود از حدود 0.6 ولت تجاوز نمی کند . به همین دلیل است که اتصال ولتمتری با باتری 1.5 ولت ، به طور نادرست به دو سر دیود تونلی به آن صدمه می زند . در شکل (22) تصویری از یک دیود تونلی و در شکل (23) علائم اختصاری آن نمایش داده شده است .
شکل (22)
 
شکل (23)

از مزایای دیود تونلی می توان قیمت ارزان ، اغتشاش کم ، سرعت زیاد ، توان مصرفی کم و ضریب اطمینان بالای آن را نام برد . 

دیود اتصال نقطه ای ( Point Contact Diode ) : همانطور که قبلاً گفته شد در دیودهای معمولی ، در بایاس معکوس ، یک ظرفیت خازنی ایجاد می شود . اگر بخواهیم این دیودها را در فرکانس های بالا به کار ببریم به علت ظرفیت خازنی ایجاد شده ، در بایاس معکوس جریانی از دیود عبور می کند . یعنی در فرکانس های بالا ، مقاومت معکوس دیود کاهش و جریان افزایش می یابد . یکی از راه های افزایش مقاومت معکوس دیود در فرکانس های بالا این است که ظرفیت خازنی دیودهایی را که در فرکانس های بالا به کار می روند کم کنیم . برای کم کردن ظرفیت خازنی این دیودها ، ساده ترین راه ، کم کردن سطح اتصال نیمه هادی های N و P می باشد . بر همین اساس دیودهای اتصال نقطه ای برای کار در فرکانس های بالا و جریان های کم ساخته شدند . در شکل (24) یک نمونه دیود اتصال نقطه ای و در شکل (25) علامت اختصاری آن نمایش داده شده است .
شکل (24)
 
شکل (25)

برای ساختن دیود اتصال نقطه ای ، نیمه هادی نوع N را انتخاب کرده ، یک سیم نازک مخصوص که خاصیت فنری داشته باشد به آن می چسبانند و سپس یک جریان ضربه ای قوی از آن عبور می دهند . در اثر این عمل اولاً نیمه هادی نوع N ذوب می شود و نوک سیم در داخل آن قرار می گیرد . ثانیاً در اطراف آن یک ناحیه کوچک P ایجاد می گردد . علت تبدیل شدن نیمه هادی نوع N به نوع P این است که در اثر عبور این جریان از نوک سیم ، اتم های خارجی وارد نیمه هادی N گردیده و آن را تبدیل به نوع P می نمایند . از این دیودها بیشتر در مدارات آشکارساز و مخلوط کننده استفاده می شود . 

تشخیص آند و کاتد و سالم بودن دیود :
به وسیله اهم متر آنالوگ و نیز مولتی متر دیجیتال می توان آند و کاتد دیود را تشخیص داد و نیز به سالم و یا معیوب بودن آن پی برد . در ادامه هر دو روش را بررسی می کنیم . 
تشخیص آند و کاتد و سالم بودن دیود با استفاده از اهم متر آنالوگ :
اگر اهم متر آنالوگ ( عقربه ای ) را به دو سر دیود وصل کرده و اهم آن را اندازه بگیرید سپس اتصال دیود را برعکس کرده ، مجدداً اهم آن را اندازه بگیرید در صورتی که در یک حالت اهم متر ، اهم کم و در حالت دیگر اهم زیاد را اندازه بگیرد دیود سالم است . واضح است که در حالت اهم کم ، دیود به وسیله باتری داخلی اهم متر در بایاس مستقیم قرار گرفته است و در حالتی که اهم متر ، اهم زیاد را نشان می دهد دیود در بایاس معکوس قرار گرفته است که اصطلاحاً گفته می شود دیود از یک طرف راه می دهد و از طرف دیگر راه نمی دهد . در شکل های (26) و (27) این دو حالت نمایش داده شده است . در شکل (26) دیود در بایاس مستقیم و در شکل (27) دیود در بایاس معکوس می باشد .
 
شکل (26)
 
شکل (27)

در حالتی که اهم متر ، اهم کم را نشان می دهد مثبت واقعی اهم متر به آند و منفی واقعی اهم متر به کاتد دیود اتصال دارد . به ترتیب می توان آند و کاتد دیود را تعیین کرد . البته مقدار مقاومتی که اهم متر نشان می دهد به انتخاب کلید سلکتور اهم متر بستگی دارد . 
یک دیود در صورتی معیوب می باشد که قطع و یا اتصال کوتاه شده باشد . در صورتی که دیود قطع شده باشد ، در هر دو حالت اتصال اهم متر به دو سر آن ، اهم متر ، اهم بینهایت را نشان می دهد و در صورتی که دیود اتصال کوتاه شده باشد در هر دو حالت اتصال اهم متر به دو سر دیود ، اهم متر ، اهم صفر را نشان می دهد . 

تشخیص آند و کاتد وسالم بودن دیود با استفاده از مولتی متر دیجیتالی :
اغلب مولتی مترهای دیجیتالی دارای وضعیت تست دیود هستند . هرگاه کلید سلکتور مولتی متر دیجیتالی را در وضعیت تست دیود که با علامت اختصاری دیود معمولی مشخص شده است قرار دهید و دیود به وسیله مولتی متر در بایاس موافق قرار بگیرد مولتی متر دیجیتالی ولتاژ بایاس دیود را نشان می دهد که این ولتاژ برای دیودهای سیلیسیومی بین 0.5 تا 0.7 ولت و برای دیودهای ژرمانیومی حدود 0.2 ولت می باشد . البته در بعضی از مولتی مترهای دیجیتالی در این حالت عبارت good نیز بر روی صفحه نمایش مولتی متر ظاهر می شود . اما اگر دیود در بایاس مخالف قرار گیرد ، ولتاژ بایاس مخالف اعمال شده به وسیله مولتی متر به دو سر دیود ، توسط مولتی متر نمایش داده خواهد شد و در بعضی از مولتی مترهای دیجیتالی در این حالت عبارت open بر روی صفحه نمایش مولتی متر نمایش داده می شود . در حالتی که مولتی متر ولتاژ بایاس موافق دیود را نشان می دهد ، سیم منفی ( com ) به کاتد و سیم مثبت به آند متصل است و به این ترتیب می توان آند و کاتد دیود را تعیین کرد . در صورتی که دیود قطع شده باشد در هر دو وضعیت اتصال مولتی متر به دیود ، روی صفحه نمایش آن ولتاژ باتری داخلی یا عبارت open نمایش داده می شود و اگر دیود اتصال کوتاه شده باشد در هر دو وضعیت اتصال مولتی متر به دیود ، روی صفحه نمایش مولتی متر ولتاژ صفر نمایش داده می شود . 

نامگذاری دیودها : برای نامگذار دیودها سه روش مهم وجود دارد . هر چند برخی از کارخانه های سازنده در گوشه و کنار دنیا از روش های مخصوصی برای نامگذاری استفاده می نمایند . این سه روش عبارتند از :
1- روش ژاپنی 
  2- روش اروپایی 
  3- روش آمریکایی 
روش ژاپنی : در این روش نامگذاری از عدد 1 و حرف S که به دنبال آن می آید استفاده می شود و به دنبال آن تعدادی شماره خواهد آمد که با مراجعه به جدول مشخصات دیودها می توان مشخصات الکتریکی آن را به دست آورد . در این روش ، جنس و نوع دیود مشخص نمی باشد . به عنوان مثال دیود 1S3010A دیود زنر ، دیود 1S310 یک دیود معمولی و دیود 1S2049 یک دیود واراکتور است . 
روش اروپایی : در روش اروپایی تا سال 1960 تمامی دیودها را با حروف OA و تعدادی شماره به دنبال آن مشخص می کردند که با مراجعه به جدول مشخصات دیودها می توانستیم مشخصات الکتریکی آن را به دست آوریم . مانند دیود OA34 . اما از سال 1960 به بعد این روش نامگذاری تغییر کرد . نحوه تغییر به این صورت بود که دیودهایی که بیشتر در مدارات رادیو و تلویزیون به کار می روند با دو حرف و سه شماره مشخص می شوند و دیودهایی که کاربرد آنها در مدارات مخصوصی می باشد با سه حرف و دو شماره معین می شوند . روش دو حرفی و سه شماره ای به این صورت است که حرف اول جنس نیمه هادی به کار رفته در دیود را مشخص می کند . اگر دیود از جنس ژرمانیوم باشد با حرف A و اگر از جنس سیلیسیوم باشد با حرف B مشخص می شود . حرف دوم نوع دیود را مشخص می کند که حرف A بیانگر دیود معمولی یکسوکننده ، حرف B بیانگر دیود واراکتور ، حرف Y بیانگر دیود یکسوکننده قدرت و حرف Z بیانگر دیود زنر است . بعد از این حروف شماره هایی آورده می شود که می توان با استفاده از آنها و با مراجعه به جدول مشخصات دیودها ، مشخصات الکتریکی دیود را به دست آورد . مثلاً دیود BA316 یک دیود یکسوکننده معمولی سیلیسیومی است و برای به دست آوردن مشخصات الکتریکی آن باید به جدول مشخصات دیودها مراجعه کرد . لازم به تذکر است که در اکثر مواقع در مورد نامگذاری دیود زنر ، ولتاژ زنر را نیز بر روی آن قید می کنند . 
روش آمریکایی : در این روش از عدد 1 و حرف N و تعدادی شماره که به دنبال آن می آید استفاده می شود . در این روش جنس و نوع دیود مشخص نمی باشد . با توجه به شماره ای که بعد از 1N می آید می توان با مراجعه به جدول مشخصات دیودها مشخصات الکتریکی و نوع دیود را تعیین کرد . مثلاً دیود 1N4007 یک دیود یکسو کننده است که مشخصات الکتریکی آن را می توان از جداول مربوطه به دست آورد . بعضی مواقع نیز به جای ارقام بعد از 1N از کدهای رنگی استفاده می شود . زمانی که از کدهای رنگی استفاده می شود از چاپ 1N صرفنظر می شود . کدهای رنگی مانند مقاومت ها می باشد با این تفاوت که شماره رنگ ها به دنبال هم قرار می گیرد . مثلاً دیود نمایش داده شده در شکل (28) ، دیود 1N4148 می باشد .]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/14</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-04-01 18:34:22 PM GTM+0430</pubDate>

<title>مبحث الکترونیک </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/13</link>
<description>
<![CDATA[<div style="text-align: center;">سلام خدمت کاربران گرامی 
برای صحبت کردن از همین بخش استفاده کنید ممنون .:17:</div>]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/13</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2012-01-10 18:15:36 PM GTM+0430</pubDate>

<title>ساعات پخش برنامه ها</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/3/Post/12</link>
<description>
<![CDATA[با سلام به همه دوستان و علاقه مندان به بخش خبري و راديو اينترنتي 
چه خوبه كه همه ما دور هم هستيم و درباره يك شبكه راديويي كه راه اندازيش توسط 2 تا جوان ايراني :30:با سن 27 و 18 ساله انجام شده بحث و تبادل نظر مي كنيم :19:

دوست دارم همه دوستاني كه عضو اين انجمن هستن توي اين تبادل نظرات شركت كنند  و از همه مهم تر از نظرات و انتقادات:20: سازنده اين عزيزان  استفاده خواهيم كرد . 
ساعات پخش برنامه راديو اينترنتي صداي پارس : 
از ساعت 8 صيح تا 12 ظهر  بخش اول:11:
از ساعت 14 تا 16 بخش آهنگ هاي :5:درخواستي  بخش دوم 
از ساعت 22 تا 24 با بخش شبانه:3: در خدمت دوستان هستيم 

با تشكر راديو اينترنتي صداي پارس
 
]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/3/Post/12</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-12-26 21:59:28 PM GTM+0430</pubDate>

<title>مدارات چند برابر کننده ولتاژ</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/11</link>
<description>
<![CDATA[ممکن است در بعضی موارد در ساخت یک مدار به ولتاژ های زیاد و در حد کیلو ولت نیاز داشته باشیم، اگر بخواهیم که این ولتاژ را با یه ولتاژ معمولی مثلا ۲۲۰ ولت به ۲۰۰۰ کیلو ولت برسانیم باید چه کار کنیم؟
یک راه استفاده از ترانس های افزایش دهنده ولتاژ هست و اگر ما بخواهیم ولتاژ را در حد کیلو ولت برامون افزایش بده ساخت چنین ترانسفورماتور خیلی گران خواهد بود و در ضمن ایزولاسیون آن هم بسیار مشکل هست ، چاره کار استفاده از مدارات چند برابر کننده ولتاژ میباشد که ولتاژ را افزایش میدن البته در این نوع مدارات مقدار جریان دهی بسار کم خواهد بود ولی ، مثلا در لامپ تصویر تلویزیون که به ولتاز بالا و در حد چند کیلو ولت نیاز هست از همین مدارت افزایش ولتاژ استفاده میشه و هم چنین در ساخت شوکر ها که به ولتاز زیاد و جریان کم نیاز هست.
<img src="http://daneshnameh.roshd.ir/mavara/img/daneshnameh_up/7/75/opamp8.jpg" alt="" />


به طور خلاصه و ساده طرز کار مدار بدین صورت میباشد که در مدت نیم سیکل مبت ولتاژ ثانویه ترانسفورماتور خازن c1 را از طریق d1 به اندازه ماکزیمم ولتاژ vm شارژمیکند. خازن c2 در مدت نیم سیکل منفی و از طریق دیود d3 به اندازه ۲vm بعد از چند سیکل شارژ میکند و بعد از چند سیکل د مدت نیم سیکل مثبت بعدی خازن c3 از طریق دیود d2 به اندازه ۲vm شارژ میشود و هم چنین در چند سیکل بعد خازن c4 از طریق دیود d4 به اندازه ۲vm شارژ میشود و میتوان با اضافه کردن خازن و دیود طبق شکل زیر مدار را به چند برابر کننده ولتاژ با ضریب بیشتر تبدیل کرد.
مثلا در مدار مدار اگر شما یک ولت متر دوسر سر های a,b بگذارید ولتاژ به اندازه ۳vm شارژ شده ( چون خازن c1 به اندازه ۱ برابر ولتاژ خازن C3 به اندازه ۲ برابر شارژ میشود) و اگر از دو سر سیم های c,d ولت متر بگذارید ولتاژ را به اندازه ۴ برابر ولتاژ خروجی ترانسفورماتور خواهید دید
پس بنابراین اگر ولتاژ های مدار را از طرف پایین اندازه بگیرید به صورت اعداد زوج افزایش ولتاژ خواهیم داشت و اگر ولتاژ را از طرف بالا اندازه گیری کنید افزایش ولتاژ با ضریب عدد فرد خواهد بود
پس براحتی به کمک مدار بالا میتوان ولتاژ های ac را فزایش داد و با اضافه کردن دیود و خازن طبق آرایش بالا مدار را ارتقا داد.
]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/11</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-12-08 14:46:41 PM GTM+0430</pubDate>

<title>رده:مهندسان الکترونیک اهل آمریکا</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/10</link>
<description>
<![CDATA[[email=m.electronic74@yahoo.com]ایمیل مدیر انجمن [/email]

انوشه انصاری
<img src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4d/Anousheh_Ansari.jpg/220px-Anousheh_Ansari.jpg" alt="" />

<img src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/92/Anousheh_Ansari_after_landing.jpg/220px-Anousheh_Ansari_after_landing.jpg" alt="" />


انوشه انصاری


انوشه انصاری پس از بازگشت به زمین در لباس فضایی
انوشه انصاری (زادهٔ ۲۱ شهریور ۱۳۴۵ خورشیدی، برابر با ۱۲ سپتامبر ۱۹۶۶ در مشهد) کاوشگر و رئیس انجمن گردانندگان شرکت فناوری ارتباط از راه دور (TTI) است.

او متولد شهر مشهد در ایران است و در سال ۱۳۶۳ (۱۹۸۴) به همراه خانواده‌اش به آمریکا مهاجرت کردند. انوشه مدرک کارشناسی خود را در رشتهٔ مهندسی الکترونیک و علوم رایانه (EECS) از دانشگاه جورج میسون و مدرک کارشناسی ارشد خود را درزمینهٔ مهندسی الکترونیک از جورج واشنگتن اخذ کرده‌است. او در حال حاضر مشغول طی کردن دوره‌ای در دانشگاه سوئین‌بورن است تا بتواند دومین مدرک کارشناسی ارشد خود را در رشتهٔ ستاره‌شناسی دریافت کند.

او در سال ۲۰۰۰ ازسوی مجلهٔ زن شاغل به‌عنوان کارآفرین برتر شناخته شده‌است. او از بنیان‌گذاران یک شرکت مخابراتی در آمریکا به نام تی.تی.آی (TTI) بوده که اکنون تحت مالکیت سنوز نتورک قرار دارد.

محتویات  [نهفتن] 
۱ انصاری اکس-پرایز
۲ سفر به فضا
۳ فعالیت‌های انوشه انصاری پس از سفر به فضا
۴ جُستارهای وابسته
۵ منابع
۶ پیوند به بیرون
انصاری اکس-پرایز [ویرایش]

نوشتار اصلی: جایزه ایکس انصاری
انوشه انصاری به همراه برادر همسرش در سال ۲۰۰۳ (میلادی) جایزهٔ ۱۰میلیون‌دلاریِ سالیانهٔ «انصاری اکس-پرایز» (Ansari X-prize) را بنیان نهاد. هدف از این جایزه تشویق بخش خصوصی برای سرمایه‌گذاری و ورود به بازار سفرهای فضایی است که تا پیش از این در انحصار تعداد انگشت‌شماری از دولت‌ها بوده‌است.

سفر به فضا 

<img src="http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/61/Anousheh_Ansari_space_patch.jpg/220px-Anousheh_Ansari_space_patch.jpg" alt="" />[/align]

نماد مأموریت فضایی انوشه انصاری، با پرچم‌های ایران، آمریکا، نقش ایستگاه فضایی بین‌المللی، و نقشهٔ ایران روی کُرهٔ زمین
انوشه همیشه عاشق فضا و فضانوردی و درپی راه یافتن به فضا بوده‌است.

در ۱۸ اردیبهشت ۱۳۸۵ (۸ مه ۲۰۰۶)، سازمان فضایی روسیه به‌طور رسمی اعلام کرد که انوشه انصاری به‌عنوان اولین زن گردشگری فضایی در یکی از پروازهای فضاپیمای سایوز، که برای بهار ۱۳۸۵ برنامه‌ریزی شده‌بود، به مدار زمین سفر خواهد کرد. اما پس از رد صلاحیت دایسوکه انوموتو، داوطلب ژاپنی، به دلایل پزشکی و جا ماندن او از مأموریت سایوز تی‌ام‌ای-۹، قرار شد انوشه انصاری در ۲۳ شهریور ۱۳۸۵ با این گروه همراه شود.

وی اولین فضانورد ایرانی دنیاست و اولین زن کیهان‌گرد و چهارمین نفری است که هزینهٔ سفر فضایی خود را پرداخت کرده‌است. او همچنین پس از عبدالاحد مومند فضانورد افغان دومین فضانورد فارسی‌زبان است. انصاری ترجیح می‌دهد درمورد خود از عنوان «فضانورد همراه» به‏‏جای واژهٔ «گردشگر فضایی» استفاده کند. وی در روی لباس خود دو پرچم ایران و آمریکا را نقش کرده بود. وی دلیل این کار را اظهار دِین خود به این دو کشور که در موفقیت وی نقش داشته‌اند بیان کرد.[۱]

فضاپیمای سایوز حامل انوشه انصاری، فرمانده روسی میخاییل تیورین، و مهندس پرواز اسپانیایی-آمریکایی، مایکل لوپز الگریا در صبح روز دوشنبه ۱۸ سپتامبر سال ۲۰۰۶ از پایگاه فضایی بایکونور در قزاقستان به فضا پرتاب شد، و بدین ترتیب مأموریت سایوز تی‌ام‌ای-۹ آغاز گشت. دو روز پس از قرار گرفتن در مدار زمین، فضاپیمای سویوز در ۲۰ سپتامبر ۲۰۰۶ با موفقیت به ایستگاه بین‌المللی فضایی ملحق شد و اقامت ۹روزهٔ انوشه انصاری در ایستگاه فضایی آغاز شد[۲][۳].

سرانجام پس از ۹ روز اقامت و پژوهش در ایستگاه بین‌المللی فضایی، انوشه انصاری در سحرگاه ۷ مهر ۱۳۸۵ مصادف با ۲۹ سپتامبر ۲۰۰۶ میلادی به همراه پاول وینوگرادف روسی و جفری ویلیامز آمریکایی، دو تن از فضانوردان ساکن ایستگاه، به زمین بازگشت و پس از فرود وی در ۹۰کیلومتری شمال آرکالیک در قزاقستان با استقبال گرم خانواده‌اش، ازجمله همسرش حمید، و مقامات محلی و مسئولان سازمان فضایی روسیه مواجه شد. وی پس از معاینات پزشکی، با بالگرد برای مراسم خوش‌آمدگویی به شهر قُستانای (در قزاقستان) منتقل شد.

انوشه انصاری در طول ۹ روز اقامت خود در ایستگاه بین‌المللی فضایی مجموعه آزمایش‌های علمی زیر را برای آژانس فضایی اروپا انجام داد[۴]:

پژوهش درمورد علل کم‌خونی؛
تأثیر تغییرات ماهیچه‌ای بر کمردرد؛
تأثیر تشعشعات فضایی برروی فضانوردان ساکن در ایستگاه بین‌المللی فضایی و گونه‌های میکروبی که در آن ایستگاه پرورش داده شده‌اند.
[/quote][/php]]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/10</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-20 14:09:58 PM GTM+0430</pubDate>

<title>تست ترانزیستور ها </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/9</link>
<description>
<![CDATA[با سلام مجدد به تمام دوستان علاقمند!  
در این پست میخوام روش تست کردن ترانزیستورهای BJT رو خدمتتون عرض کنم. 
قبل از هر چیز میخوام که به عکس زیر توجه کنید: 
هر ترانزیستور BJT یا فت 3 پایه دارد, که بحث ما روی مدل BJT هست, تزانزیستور های معمولی 3 پایه دارند که به ترتیب اسم هاشون هست: 
بیس---- کلکتور----امیتر 
بیس پایه اصلی ترانزیستور هست که همیشه ( بسته به آرایش) سیگنال به اون وارد میشه.(کاری نداریم) 
امیتر به عنوان منتشر کننده معنای انگلیسیش میشه, کلکتور هم به عنوان دریافت کننده میگن( اینا فقط جنبه آموزس سطحی هستش) 
اما تست 
نمیدونم تا حالا اهم متر یا مولتی متر دیدید یا نه! عکس زیر یه اهم متر رو نشون میده
چون ترانزیستور ها داخلشون از 3 پیوند (کریستالی) ساخته شده از این بابت 3 پیوند یه مقاومت هایی با هم دارند که ترانزیستور رو بوسیله این مقاومت ها تست میکنن, برای امتحان همیشه بهتره که یه مولتی متر ( اهم متر) دیجیتال داشته باشید چون در غیر این صورت برای افراد مبتدی خواندن عدد از روی اهمتر های عقربه ایی کمی سخته! 

مولتی متر عقربه ایی 
قبلا اشاره کردیم که ترانزیستور ها 2 مدل هستن یه جور PNP یا مثبت, و نوع دیگه NPN یا منفی 
برای تست کافیه که یه روش رو بگیم روش تست نوع دیگه مشابه همین هست با این تفاوت که پراب های اهم متر رو فقط باید عوض کنید! 
تست ترانزیستور NPN 
با تست کردن شما میتونید که ترتیب پایه ها و اسم هاشونم پیدا کنید( البته به شرطی که ترانزیستور سالم باشه) 
1-اهم متر دیجیتال رو روی رنج 2000 اهم قرار بدید 
2-سیم قرمز اهم متر رو به یک پایه ترانزیستور وصل کنید, وسیم مشکی رو به پایه دیگه, شاید دیسپلی(صفحه نمایش) عددی رو نشون بده! اگر نشون نداد باید سعی کنید که به این حالت دست پیدا کنید.یعنی اینقدر باید پایه ها رو جابه جا کنید که عدد روی صفحه نمایش پیدا کنه! 
البته 
این حالت برای کسانیه که اصلا پایه ها رو نمیشناسن این در حالیه که اکثر ترانزیستورها رو پایه هاشونو مشخص میکنن یا از معروفیت خاصی برخوردارن که به راحتی میشه ترتیب پایه هاشون پرسید. بهتره که با پایه مشخص تست کردن رو بگم تا خدای نکرده مشکلی پیش نیاد( چون یه کم دارم زیاده روی میکنم) 
سیم قرمز رو به پایه بیس وصل کنید 
سیم مشکی رو به پایه امیتر 
باید عددی حدود 300 اهم یا 400 اهم (بسته به نوع ترانزیستور) خونده بشه 
حالا سیم قرمز رو همونطور نگه بدارید و سیم مشکی رو به کلکتور وصل کنید, باید عددی مشابه عدد امیتر با مقداری کمتر خوانده بشه 
تا اینجا ترانزیستور سالمه و آخرین مرحله 
گذاشتن سیم قرمز به کلکتور و سیم مشکی به امیتر نباید هیچ عددی نشون بده و یا در واقع بایستی مقاومت بی نهایت باشه 
اگر بتونید که جای سیم ها رو هم عوض کنید و نتیجه رو مقایسه کنید خیلی هم خوب میشه 
پس نتیجه کلی: 
سیم قرمز متصله به بیس باید به دو پایه دیگه راه بده( عدد نشون بده) و دو پایه دیگه هیچ عددی نباید نشون بده 
این قرار دادن سیم قرمز به بیس نشون میده که ترانزیستور شما منفیه یا NPN و اگر عکس کار رو انجام بدید(سیم منفی رو به بیس) نشون میده که ترلنزیستور شما مثبت یا PNP هست!  
امیدوارم تونسته باشم که مطلب رو جا انداخته باشم ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/9</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-20 14:07:41 PM GTM+0430</pubDate>

<title>شناختن مقاومت ها </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/8</link>
<description>
<![CDATA[دوستان عزیز تمام عناصر الکترونیکی باید دارای یه سری مشخصه عمومی باشند که این مشخصه عمومی رو در ظاهر آنها قید میکنن, و مشخصه های خصوصی رو در کتاب های خاص( به نام کتاب های 2 جغد). 
مقاومت ها هم استثنا نبوده و بایستی از دیگر هم نوعان خود باز شناسی شوند.برای این منظور اومدن و روی مقامت ها رو با کد های رنگی مشخص کرده اند ! 
هر مقاومت از 4 حلقه رنگی تشکیل میشوند. البته مقاومت های 5 رنگی هم وجود دارند که به ندرت استفاده میشوند. کاربرد مقاومت های 5 رنگی در مدارات خاص مثل آوومتر هاست( آوومتر یا مولتی متر دستگاهی است که کمیت های الکتریکی رو اندازه میگیرد) 
خوب مقاومت های 4 رنگی 
آقا این مقاومت های 4 رنگی همیشه 3 رنگ رو به عنوان مقدار مقاومت حساب میکنن و یک رنگ رو به عنوان تلورانس یا درصد خطای اون 
نکته:شکل ظاهری مقاومت ها به اندازه مورچه های سامورایی هستش!   
تلرانس در مقاومت ها با 2 رنگ طلایی و نقره ایی مشخص میشود! رنگ طلایی به مفهوم میزان خطای 5% است و رنگ نقره ایی به اندازه 10%! 
95% مقاومت ها دارای تلورانس طلایی هستند! مگر مقاومت های قدیمی که امروزه از رده خارج شده اند. هرچه تلورانس کمتر باشه بهتره! 
رنگ های موجود در مقاومت ها 
به ترتیب مینویسم: 
سیاه---------- برابر عدد صفر ( 0) 
قهوه ایی---------- برابر عدد یک (1) 
قرمز---------- برابر عدد دو (2) 
نارنجی--------- برابر عدد سه (3) 
زرد----------برابر عدد چهار (4) 
سبز---------- برابر عدد پنج (5) 
آبی---------- برابر عدد شش (6) 
خاکستری----------برابر عدد هشت (8) 
سفید---------- برابر عدد نه (9) 
دوستان از روی رنگ های بالا دیگه به راحتی میشه مقدار مقاومت ها رو تشخیص داد که بر حسب اهم حساب میشن 
مثال   ( مثلا معلم خشنی هستم   ) 
مقاومت با رنگ های 
قرمز---قرمز---قرمز-------طلایی برابر چه مقداری هست؟ 
چون قرمز برابر عدد 2 هستش میگوییم 
2200 اهم همیشه رنگ سوم (قبل از طلایی ) تعداد صفر های موجود حساب میشه! رنگ های اول و دوم همون عدد هستن:::: نکته مهم 
حالا مقاومت 
نارنجی--- سفید--- نارنجی-------- طلایی 
برابر 39000 اهم یا همان 39 کیلو اهم هست! 
امیدوارم که یاد گرفته باشید بازم مثال میزنم    
اگر دوست داشته باشید یواش یواش الکترونیک -مقدماتی رو یاد میگیرید  ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/8</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-20 14:06:23 PM GTM+0430</pubDate>

<title>آشنایی با شناسایی مقاومت ها  </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/7</link>
<description>
<![CDATA[آشنایی با شناسایی مقاومت ها 


مقاومت همونطور که معرفی شده عنصری است که در مقابل عبور جریان مخالف از خود نشان میدهد و به طبع ولتاژی دو سر آن افت میکند.این افت ولتاژ خیلی مهم هست از آن استفاده ی بسیار میکنن. 
مثلا شما ولتاژ 12 ولت رو میتونید با یه مقاومت به ولتاژی حدود 3 ولت تبدیل کنید برای این کار کافیه که فقط قانون اهم رو به کار ببرید.البته با گذاشتن مقاومت برای کم کردن ولتاژهمیشه به مقصود نمیرسیم ! معمولا برای توان های کم این کار رو انجام میدن مثلا روشن کردن یه دیود نورانی LED با ولتاژ مثلا 50 ولت / 60 ولت یا حتی 12 ولت و یا بیشتر از مقادیر ذکر شده! چون همونطور که میدونید دیودهای نوردهنده با ولتاژی حدود 3 ولت کار میکنن پس میبینید که مقاومت ها میتونن با کاهش جریان ولتاژ رو هم محدود کنن! 



البته برای ولتاژهای بالا باید توان مناسبی برای مقاومت محاسبه بشه ! 
توان چیست؟ 
مقدار انرژی مصرفی هر عنصر رو توان بهش میگن! یا به عبارت دیگه حاصل ضرب ولتاژ در جریان رو توان میگن! توان یا وات از دو رابطه دیگه هم حساب میشه: 
P=V.I 
P=V.V/R 
P=R.I.I 
منظور از I.I همون جریان به توان 2 هستش! 
هر چی توان بیشتر بشه چثه مقاومت هم بزرگتر میشه! مقاومت ها تا وات 20 هم وجود دارند البته اهم کمی دارند. 
مقاومت ها رو چگونه بشناسیم؟ 
مقاومت ها به صورت عناصر 2 پایه کوچکی رو مدارهای الکترونیکی هستند که نوارهای رنگی روی اونا هست! 
حالا منظور از نوارهای رنگی چیه؟ 
نوارهای رنگی نشان دهنده مقدار مقاومت هاست.مقاومت ها از 1 اهم شروع میشوند( مقاومت های معمولی) و تا 10 مگا اهم رنجشون ادامه پیدا میکنه.رنج استاندارد مقاومت ها مختلفه ولی معمول ترین رنج اونا به شرح زیر هست: 
1 / 1,2/ 1,5/ 1,8/ 2,2/ 2,7/ 3,3/ 3,9/ 4,7/ 5,6/ 6,8/ 8,2 
حالا این رنج ها از اهم شروع شده, به کیلو میرسند و نهایتا به مگا اهم ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/7</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-20 14:04:45 PM GTM+0430</pubDate>

<title>الکترونیک چیست ؟</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/6</link>
<description>
<![CDATA[الکترونیک چیست؟ 
الکترونیک یه علم میشه گفت جدید هستش که با توجه به جدید بودنش سرعتی فراتر از دیگر علوم داشته( از لحاظ پیشرفت).علم الکترونیک به برسی قطعات الکترونیک, کاربرد های اونا در صنعت و زندگی روزمره میپردازه. به توجه به شناخت تمام قطعات و نحوه عملکرد اونا ما میتونیم مدارهای مختلفی بسازیم که به دنبال اون دستگاههای جدید و پیشرفته به وجود میان. مثل همین کامپیوتر! 
در الکترونیک ما چند تا تعریف داریم که لازم میدونم که اونا رو بگم: 
1- تعریف ولتاژ 
ولتاژ رو اسمشو حتما شنیدید! ولتاژ به طور عامیانه تعداد الکترون های موجود در یک سیم رو میگن, اما تعریف علمیش میشه عاملی که باعث به وجود آمدن جریان الکتریکی میشه! با حرف لاتین v هم علامت گذاری میشه 
2- جریان الکتریکی یا آمپر 
آمپر یا شدت جریان عبارت است از سرعت عبور الکترون ها از سیم! تعریف علمیش میشه: به یک کولن الکتریسیته که از یک نقطه از سیم عبور میکنند یک آمپر میگیم و با حرف i هم مشخص میشه 
3- توان یا وات 
وات با ولت فرق میکنه بیشتر کسانی رو که من میبینم(عوام) اشباها ولت را با وات یکی میدونند که این اشتباست! وات یا همان توان عبارت است از مقدار کاری که دستگاه میتونه انجام بده- به طور عامیانه همون انرژی یا (زور) بهش میگن با حرف لاتین p هم مشخصسش میکنن! 
4-مقاومت الکتریکی 
مقاومت الکتریکی همون طور که از اسمش پیداست عبارت است از مخالفت در برابر عبور جریان الکتریکی! همه عناصر طبیعت یه مقاومتی دارنئ که عایق ها دارای بیشترین مقاومت هستند و رسانا ها دارای کمترین مقاومت مقاومت را با اهم نشان میدهند 
رابطه بین مقاومت الکتریکی با ولتاژ الکتریکی و جریان الکتریکی رو قانون اهم میگن که بنیادی ترین قانون در رشته برق هست! ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/6</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-20 14:03:11 PM GTM+0430</pubDate>

<title>معرفی قطعات الکترونیک و کاربرد آن ها </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/5</link>
<description>
<![CDATA[معرفی قطعات الکترونیک 
1-آی-سی ها: 
آی-سی ها یا همان مدارات مجتمع(اینتگراتد سرکویت) انواع بسیار مختلفی دارند بعضی ها راه انداز بعضی تقویت کنند بعضی آشکارساز و بعضی ها مبدل هستند. 
تکنولوژی الکترونیک با سرعتی فراتر از تصور در حال پیشرفت است. آی سی ها را امروزه در صنایع نظامی کاربد بسار بسیار وسیعی داشته و داشته اند. آی سی ها را امروزه به صورت smd یا ریز هم میسازند 
2- ترانزیستور ها: 
ترانزیستور ها نسل ماقبل آی سی ها بودند که با مزایایی که داشتند امروزه هم مورد استفاده قرار میگیرند! انواع مختلفی از ترانزیستور ها وجود دارد که بازهم کارهای مختلفی را انجام میدهند مثل تقویت! در واقع هرکاری را که آی سی میتواند انجام دهد ترانزیستور ها هم میتوانند با این تفاوت که در مداراتی که با آی سی ساخته میشوند حجم مدار به شدت کوچک میشود. ترانزیستورها هم دو نمونه ساخته شدند نسل قدیم که bjt بودند و نسل جدید که fet هستند. البته امروزه هر دو نسل تولید میشوند. 
3-دیود ها: 
دیود ها هم سل قبل ترانزیستورها هستند یعنی ترانزیستور ها در واقع از دیود ها ساخته میشوند.انواع مختلفی هم دارند.کارهایی مختلفی هم انجام میدهند معمولا دانش آموزان دیود را به عنوان یکسو ساز میشناسند دیود ها انواع بسیار متعددی دارند که دیود های نورانی یا led ها بسیار جذاب هستند که بچه های کوچک بسیار دوست دارند. 
4-سلف ها: 
سلف یا بوبین یا سلونویید از پیچش یک سری دور از سیم مشخص بر روی یک هسته ساخته میشود امروزه بسیار کم از سلف ها استفاده میشود سلف ها حجیم هستمد و در عین حال گران قیمت از کارهایی که سلف ها انجام میدهند میتوان در ساخت *****ها ی فرکانسی یاد کرد. 
5- مقاومت: 
مقاومت عنصری از الکترونیک هست که همیشه بوده و هست و به نسبت ارزانتر از همه هست. انواع مختلفی از مقاومت ها وجود دارد که اهم های مختلفی دارند همچنین دارای وات های مختلفی هستند. مقاومت های سیمی قبلا ساخته میشدند امروزه مقاومت های کربنی بیشتر مورد استفاده هستند. 
مقاومت ها هم دو نمونه هستن(کلا) مقاومت های ثابت و مقاومت های متغیر 
6- خازن ها: 
خازن ها هم به عنوان ذخایر انرژی الکتریکی شاید بتوان گفت در مدارها مورد استفاده قرار میگیرند. خازن ها دارای انواع بسار متعددی هستن اما در کل مثل مقاومت ها به دو مدل ثابت و متغیر ساخته میشوند . خازن های متغیر در مدارات فرکانسی استفاده میشوند و همچنین خازن ها ثابت هم به گونه های مختلف عدسی -سرامیکی و الکترولیتی تقسیم میشوند. 
در پست بعدی عکس ها و شکل ها و واحدهای مشخصه را خدمت دوستان عرض میکنم 
یه نکته ایی هم بگم که ساخت هواپیماهای جنگی یا لباسشویی یا یه چراغ چشمک زن یا حتی .... بدون دانستن علم الکترونیک میسر نیست امروزه تنها تکنولوژی را در دنیا قدرت علوم الکترونیک و مکانیک تعیین میکند ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/2/Post/5</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-17 16:42:46 PM GTM+0430</pubDate>

<title>دانلود امتحان هماهنگ مبانی مخابرات و رادیو </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/4</link>
<description>
<![CDATA[دانلود امتحان هماهنگ مبانی مخابرات و رادیو]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/4</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-13 08:40:07 AM GTM+0430</pubDate>

<title>عکس قطعات ریز الکترونیک </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/3</link>
<description>
<![CDATA[امید وارم بدردتون بخوره .:8::8::8::8::8:]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/3</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-12 21:43:49 PM GTM+0430</pubDate>

<title>اتاق مخصوص بچه های پارس کلام </title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/2</link>
<description>
<![CDATA[:10::20::9:سلام به همه دوستان عزیزم در انجمن پارس کلام ممنون که عضو انجمن من شدید .:9::10::20:[/b][/size]]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/2</guid>

</item>



<item>

<pubDate>2011-10-12 17:11:55 PM GTM+0430</pubDate>

<title>معرفی خود .</title>

<link>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/1</link>
<description>
<![CDATA[سلام ]]></description>


<guid>http://www.electronicnarmafzar.r98.ir/Forum/Catgory/1/Post/1</guid>

</item>




</channel>

</rss>
